首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:37795
 
资料名称:2N2218A
 
文件大小: 155.51K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Planar Transistors
 
 


: 点此下载
  浏览型号2N2218A的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号2N2218A的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号2N2218A的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号2N2218A的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号2N2218A的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号2N2218A的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号2N2218A的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号2N2218A的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MSCO933一个 10-14-98dsw2n2218a <-> (34724)
2N2218一个
电的 特性 (t一个= 25
°
c 除非 否则 指出)
止 典型的 标识 最小值 最大值 单位
集电级 - 发射级 损坏 电压(1) v(br)
CEO
( i
C
= 10 毫安 直流,I
B
= 0 ) 50 Vdc
集电级 - 根基损坏电压 v(br)
CBO
( i
C
= 10
µµ
模数转换器,I
E
= 0 )
75 Vdc
发射级-根基损坏电压 v(br)
EBO
( i
E
= 10
µµ
模数转换器,I
C
= 0 )
6 Vdc
集电级 -发射级截止电流 I
CES
( v
CE
= 50 vdc ) 10 nAdc
集电级 -根基截止电流 I
CBO
( v
CB
= 60 vdc, i
E
= 0 ) 10 nAdc
( v
CB
= 60 vdc,I
E
= 0,T
一个
= 150
°°
c )
10
µµ
模数转换器
发射级-根基截止电流 I
EBO
( v
EB
= 4 vdc ) 10 nAdc
( v
EB
= 6 vdc ) 10
µµ
模数转换器
在 典型的 标识 最小值 最大值 单位
直流电流增益 h
FE
( i
C
= 0.1 毫安 直流, v
CE
= 10 vdc ) (1) 30
( i
C
=
1 毫安 直流, v
CE
= 10 vdc ) (1) 35 150
( i
C
= 10 毫安 直流, v
CE
= 10 vdc ) (1) 40
( i
C
= 150 毫安 直流, v
CE
= 10 vdc ) (1) 40 120
( i
C
= 500 毫安 直流, v
CE
= 10 vdc ) (1) 20
( i
C
= 10 毫安 直流, v
CE
= 10 vdc, t
J
=
-
55
°°
C
) (1)
35
集电级 - 发射级饱和电压 V
ce(sat)
( i
C
= 150 madc,
I
B
= 15 madc ) (1) 0.3 Vdc
( i
C
= 500 madc,
I
B
= 50 madc ) (1) 1.0 Vdc
根基-发射级饱和电压 V
是(sat)
( i
C
= 150 madc,
I
B
= 15 madc ) (1) 0.6 1.2 Vdc
( i
C
= 500 madc,
I
B
= 50 madc ) (1) 2.0 Vdc
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
.2
%
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com