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这 hip1012 responds 至 一个 加载 短的 (defined 作 一个 电流
水平的 3x 这 oc 设置 要点) 立即, 驱动 这 相关的
n-频道 场效应晶体管 门 至 0v 在 较少 比 1
µ
s. 这 门
电压 是 然后 慢速地 ramped 向上 turning 在 这 n-频道
场效应晶体管 至 这 编写程序 电流 限制 水平的, 这个 是 这
开始 的 这 时间 输出 时期. 这 编写程序 电流 水平的 是
使保持 直到 也 这 oc 事件 passes 或者 这 时间 输出 时期
expires. 如果 这 former 是 这 情况 然后 这 n-频道
场效应晶体管 是 全部地 增强 和 这 C
TIM
charging 电流 是
diverted away 从 这 电容. 如果 这 时间 输出 时期
expires 较早的 至 oc 决议 然后 两个都 门 是 quickly
牵引的 至 0v turning 止 两个都 n-频道 mosfets
同时发生地.
在之上 任何 oc 或者 uv 情况 这 pgood 信号 将 拉
低 当 系 高 通过 一个 电阻 至 这 逻辑 供应. 这个
管脚 是 一个 故障 指示信号 但是 不 这 oc 获得 止 指示信号. 为
一个 OC 获得 止 indication, 监控 ctim, 管脚 10. 这个 管脚 将
上升 迅速 至 12v once 这 时间 输出 时期 expires. 看
块 图解 为 oc 获得 止 电路 建议.
这 HIP1012 是 重置 用 一个 rising 边缘 在 也
PWRON 管脚
和 是 转变 在 用 也
PWRON 管脚 正在 驱动 低. 这
hip1012 能 控制 也 +12v/5v 或者 +3.3v/+5v 供应.
tying 这
pwron1 管脚 至 v
DD
, invokes 这 +3.3v/+5v
电压 模式. 在 这个 模式, 这 外部 承担 打气
电容 是 不 需要 和 cpump, 管脚 11 是 也 系
直接地 至 v
DD
.
hip1012 应用 仔细考虑
为 产品 在哪里 电压 容忍 是 的 核心的
concern
这 hip1012a 是 更好的 suited 作 它 有 一个 最小
名义上的 oc vth 效能 的 50mv verses 100mv 和
这 hip1012 在 这 全部 温度 范围. 这个 准许
这 使用 的 更小的 rsense 值 电阻器 结果 在 高等级的
efficiency.
当 使用 这 hip1012 在 这 12v 和 5v 模式
额外的 v
DD
解耦 将 是 需要 至 阻止 一个
电源 在 重置 预定的 至 一个 sag 在 v
DD
管脚 在之上 一个 oc 获得
止. 这 增加 的 一个 电容 从 V
DD
至 地 将 常常
是 足够的 但是 一个 小 值 分开 电阻 将 也
是 需要. 看 这 simplified 图式.
电流 循环 stabilization
是 facilitated 通过 一个 小
值 电阻 在 序列 和 这 门 定时 电容. 作 这
hip1012 驱动 一个 高级地 inductive 电流 加载, instability
典型 用 这 门 电压 repeatedly ramping 向上 和
向下 将 呈现. 一个 简单的 方法 至 增强 稳固 是
提供 用 这 substitution 的 一个 大 值 门 电阻.
典型地 这个 situation 能 是 避免 用 eliminating 长
要点 至 要点 线路 至 这 加载.
随机的 resets
将 出现 如果 这 hip1012 sense 管脚 是
牵引的 在下 地面 当 turning 止 一个 高级地 inductive 加载.
放置 一个 大 加载 电容 (10-50
µ
f) 在 这 输出 至
eliminate 这 非计划的 resets.
在 这
时间 输出 延迟 时期
和 这 hip1012 在
电流 限制 模式, 这 v
GS
的 这 外部 n-频道
MOSFETs 是 减少 驱动 这 n-频道 场效应晶体管 转变
在 一个 高 r
ds(在)
状态. 因此 避免 扩展 时间 输出
时期 作 这 外部 n-频道 mosfets 将 是
损坏 或者 destroyed 预定的 至 过度的 内部的 电源
消耗. 谈及 至 这 场效应晶体管 manufacturers 数据 薄板
为 soa 信息.
和 这 高 水平 的 inrush 电流 e.g., 高级地 电容的
负载 和 发动机 开始 向上 电流,
choosing 这 电流
限制的 水平的
是 crucial 至 提供 两个都 保护 和 安静的
准许 为 这个 inrush 电流 没有 闭锁 止. 考虑 这个
在 增加 至 这 时间 输出 延迟 当 choosing mosfets
为 your 设计.
物理的 布局 的 rsense 电阻器
是 核心的 至 避免 这
possibility 的 false 在 电流 occurrences. ideally 查出
routing 在 这 rsense 电阻器 和 这 hip1012 是
直接 和 作 短的 作 可能 和 零 电流 在 这 sense
线条. 谈及 至 这 demo boards 为 examples.
外部 拉 向下 电阻器
(5k
Ω
) 从 这 xISEN 管脚 至
地面 将 阻止 这 输出 从 floating 当 这
外部 转变 fets 是 无能 和 这 输出 是 打开.
表格 1.
R
ILIM
电阻 名义上的 oc vth
15k
Ω
150mV
10k
Ω
100mV
7.5k
Ω
75mV
4.99k
Ω
50mV
便条: 名义上的 oc vth = rilim x 10
µ
一个.
表格 2.
C
TIM
电容 名义上的 时间 输出 时期
0.022
µ
F 4.4ms
0.047
µ
F 9.4ms
0.1
µ
F 20ms
便条: 名义上的 时间-输出 时期 在 秒 = c
TIM
x 200k
Ω.
hip1012, hip1012a
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