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2-72
肖特基 选择
整流器 d
2
是 一个 clamp 那 catches 这 负的 inductor
摆动 在 这 dead 时间 在 turning 止 这 更小的
场效应晶体管 和 turning 在 这 upper 场效应晶体管. 这 二极管
必须 是 一个 肖特基 类型 至 阻止 这 lossy parasitic
场效应晶体管 身体 二极管 从 组织. 它 是 可接受的 至
omit 这 二极管 和 let 这 身体 二极管 的 这 更小的 场效应晶体管
clamp 这 负的 inductor 摆动, 但是 效率 将 漏出
一个 或者 二 百分比 作 一个 结果. 这 二极管's 评估 反转
损坏 电压 必须 是 更好 比 这 最大
输入 电压.
+12V
PGND
HIP6004A
地
LGATE
UGATE
阶段
激励
V
CC
+5v 或者 较少
便条:
便条:
V
g-s
≈
V
CC
Q1
Q2
+
-
图示 10. upper 门 驱动 - 直接 v
CC
驱动 选项
V
g-s
≈
V
CC
-5v
D2
HIP6004A

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2-72 肖特基选择整流器 d 2 是一个 clamp 那 catches 这负的 inductor 摆动在这 dead 时间在 turning 止这更小的场效应晶体管和 turning 在这 upper 场效应晶体管. 这二极管必须是一个肖特基类型至阻止这 lossy parasitic 场效应晶体管身体二极管从组织. 它是可接受的至 omit 这二极管和 let 这身体二极管的这更小的场效应晶体管 clamp 这负的 inductor 摆动, 但是效率将漏出一个或者二百分比作一个结果. 这二极管's 评估反转损坏电压必须是更好比这最大输入电压. +12V PGND HIP6004A 地 LGATE UGATE 阶段激励 V CC +5v 或者较少便条: 便条: V g-s ≈ V CC Q1 Q2 + - 图示 10. upper 门驱动 - 直接 v CC 驱动选项 V g-s ≈ V CC -5v D2 HIP6004A

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