2-199
绝对 最大 比率 热的 信息
供应 电压, v
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15V
pgood, rt, 故障, 和 门 电压 . .地 -0.3v 至 v
CC
+0.3v
其它 输入, 输出 或者 i/o 电压 . . . . . . . . . . . . . 地 -0.3v 至 7v
运行 情况
供应 电压, v
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±
10%
包围的 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
c 至 70
o
C
接合面 温度 范围. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
c 至 125
o
C
热的 阻抗 (典型, 便条 1)
θ
JA
(
o
c/w)
soic 包装. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . 150
o
C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . . -65
o
c 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 (焊接 10s). . . . . . . . . . . . 300
o
C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 evaluation pc 板 在 自由 空气.
电的 specifications
推荐 运行 情况, 除非 否则 指出. 谈及 至 计算数量 1, 2 和 3
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vcc 供应 电流
名义上的 供应 I
CC
ugate, gate3, lgate, 和 vout2 打开 - 10 - 毫安
电源-在 重置
rising vcc 门槛 V
OCSET
= 4.5v 8.6 - 10.4 V
下落 vcc 门槛 V
OCSET
= 4.5v 8.2 - 10.2 V
rising vin2 下面-电压 门槛 2.45 2.55 2.65 V
vin2 下面-电压 hysteresis - 100 - mV
rising v
OCSET
门槛 - 1.25 - V
振荡器
自由 运动 频率 rt = 打开 185 200 215 kHz
总的 变化 6k
Ω
< rt 至 地 < 200k
Ω
-15 - +15 %
ramp 振幅
∆
V
OSC
rt = 打开 - 1.9 - V
p-p
涉及 和 dac
dac(vid0-vid4) 输入 低 电压 - - 0.8 V
dac(vid0-vid4) 输入 高 电压 2.0 - - V
dacout 电压 精度 -1.0 - +1.0 %
直线的 调整器
规章制度 10ma < i
VOUT2
< 150ma 2.437 2.500 2.563 V
下面-电压 水平的 VSEN2
UV
vsen2 rising - 1.875 2.175 V
下面-电压 hysteresis - 0.150 - V
在-电流 保护 (电流-限制的) 180 230 - 毫安
直线的 控制
规章制度 vsen3 = gate3 1.462 1.500 1.538 V
下面-电压 水平的 VSEN3
UV
vsen3 rising - 1.125 1.305 V
下面-电压 hysteresis - 0.090 - V
drive3 源 电流 vin2 - drive3 > 1.5v 20 40 - 毫安
pwm 控制 错误 放大器
直流 增益 -88- dB
增益-带宽 产品 GBWP - 15 - MHz
HIP6016
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