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放置 非常 关闭 至 这 upper 场效应晶体管 至 压制 这
电压 induced 在 这 parasitic 电路 阻抗.
为 一个 通过-孔 设计, 一些 electrolytic 电容
将 是 需要. 为 表面 挂载 设计, 固体的 tantalum
电容 能 是 使用, 但是 提醒 必须 是 exercised 和
关于 至 这 电容 surge 电流 比率. 这些
电容 必须 是 有能力 的 处理 这 surge-电流 在
电源-向上.
晶体管 选择/仔细考虑
这 HIP6521 需要 5 外部 晶体管. 二 n-频道
mosfets 是 使用 在 这 同步的-rectified buck
topology 的 pwm 转换器. 这 时钟, agp 和 mch/ich
直线的 控制者 各自 驱动 一个 npn 双极 晶体管 作 一个
通过 元素. 所有 这些 晶体管 应当 是 选择 为基础
在之上 r
ds(在)
, 电流 增益, 饱和 电压, 门/根基
供应 (所需的)东西, 和 热的 管理
仔细考虑.
pwm 场效应晶体管 选择 和 仔细考虑
在 高-电流 pwm 产品, 这 场效应晶体管 电源
消耗, 包装 选择 和 散热器 是 这
首要的 设计 factors. 这 电源 消耗 包含 二
丧失 组件; 传导 丧失 和 切换 丧失. 这些
losses 是 distributed 在 这 upper 和 更小的
mosfets 符合 至 职责 因素 (看 这 equations
在下). 这 传导 losses 是 这 主要的 组件 的
电源 消耗 为 这 更小的 mosfets. 仅有的 这 upper
场效应晶体管 有 significant 切换 losses, 自从 这 更小的
设备 转变 在 和 止 在 near 零 电压.
这 equations 在下 假设 直线的 电压-电流
transitions 和 做 不 模型 电源 丧失 预定的 至 这 反转-
恢复 的 这 更小的 场效应晶体管’s 身体 二极管. 这 门-
承担 losses 是 dissipated 用 这 HIP6521 和 don't 热温
这 mosfets. 不管怎样, 大 门-承担 增加 这
切换 时间, t
SW
这个 增加 这 upper 场效应晶体管
切换 losses. 确保 那 两个都 MOSFETs 是 在里面 它们的
最大 接合面 温度 在 高 包围的 温度
用 calculating 这 温度 上升 符合 至 包装
热的-阻抗 specifications. 一个 独立的 散热器 将
是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装
类型, 包围的 温度 和 空气 flow.
给 这 减少 有 门 偏差 电压 (5v) 逻辑-
水平的 或者 sub-逻辑-水平的 晶体管 有 至 是 使用 为 两个都
n-mosfets. 提醒 应当 是 exercised 和 设备
exhibiting 非常 低 v
gs(在)
特性, 作 这 低 门
门槛 可以 是 conducive 至 一些 shoot-通过 (预定的 至
这 miller 效应), 在 spite 的 这 counteracting 电路系统
呈现 aboard 这 hip6521.
rectifier cr1 是 一个 clamp 那 catches 这 负的 inductor
摆动 在 这 dead 时间 在 这 转变 止 的 这 更小的
场效应晶体管 和 这 转变 在 的 这 upper 场效应晶体管. 这 二极管
必须 是 一个 肖特基 类型 至 阻止 这 lossy parasitic
场效应晶体管 身体 二极管 从 组织. 它 是 可接受的 至
omit 这 二极管 和 let 这 身体 二极管 的 这 更小的 场效应晶体管
clamp 这 负的 inductor 摆动, 供应 这 身体 二极管
是 快 足够的 至 避免 过度的 负的 电压 swings 在
这 阶段 管脚. 这 二极管's 评估 反转 损坏
电压 必须 是 更好 比 这 最大 输入 电压.
直线的 控制者 晶体管 选择
这 主要的 criteria 为 选择 的 晶体管 为 这 直线的
regulators 是 包装 选择 为 efficient 除去 的 热温.
这 电源 dissipated 在 一个 直线的 调整器 是:
选择 一个 包装 和 散热器 那 维持 这 接合面
温度 在下 这 比率 和 一个 这 最大 预期的
包围的 温度.
作 双极 npn 晶体管 有 至 是 使用 和 这 直线的
控制者, insure 这 电流 增益 在 这 给 运行
V
CE
是 sufficiently 大 至 提供 这 desired 最大
输出 加载 电流 当 这 根基 是 喂养 和 这 最小
驱动器 输出 电流.
P
UPPER
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
输出
×
V
在
------------------------------------------------------------
I
O
V
在
×
t
SW
×
F
S
×
2
----------------------------------------------------+=
P
更小的
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
在
V
输出
–
()×
V
在
---------------------------------------------------------------------------------=
图示 8. 场效应晶体管 门 偏差
+5V
PGND
HIP6521
地
LGATE
UGATE
阶段
激励
+5v 或者 较少
便条:
便条:
V
GS
≈
V
CC
Q1
Q2
+
-
V
GS
≈
V
CC
-0.5v
CR1
VCC
C
激励
VCC
+
P
直线的
I
O
V
在
V
输出
–
()×
=
HIP6521
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