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平均 电流 每 阶段. neglecting secondary 影响,
这 抽样 电流 (i
样本
) 能 是 related 至 这 加载
电流 (i
LT
) 用:
I
样本
=
I
LT
/ n +
(v
在
V
核心
- 3v
核心
2
) / (6l x f
SW
x
V
在
)
在哪里: I
LT
= 总的 加载 电流
n = 这 号码 的 途径
例子: 使用 这 先前 给 情况, 和
为 I
LT
= 100a,
n= 4
然后 i
样本
= 25.49a
作 discussed 先前, 这 电压 漏出 横过 各自 q2
晶体管 在 这 要点 在 时间 当 电流 是 抽样 是
r
DSON
(q2) x i
样本
. 这 电压 在 q2’s 流, 这
阶段 node, 是 应用 通过 这 r
ISEN
电阻 至 这
hip6311 isen 管脚. 这个 管脚 是 使保持 在 模拟的 地面, 所以 这
电流 在 isen 是:
I
SENSE
= i
样本
x r
ds(在)
(q2) / r
ISEN
.
R
Isen
= i
样本
x r
ds(在)
(q2) / 50
µ
一个
例子: 从 这 previous 情况,
在哪里 i
LT
= 100a,
I
样本
= 25.49a,
r
ds(在)
(q2) = 4m
Ω
然后: r
ISEN
= 2.04k 和
I
电流 trip
= 165%
短的 电路 i
LT
= 165a.
频道 频率 振荡器
这 频道 振荡器 频率 是 设置 用 放置 一个 电阻,
R
T
, 至 地面 从 这 fs/dis 管脚. 图示 10 是 一个 曲线
表明 这 relationship 在 频率, f
SW
, 和
电阻 R
T
. 至 避免 pickup 用 这 fs/dis 管脚, 它 是 重要的
至 放置 这个 电阻 next 至 这 管脚. 如果 这个 管脚 是 也 使用 至
使不能运转 这 转换器, 它 是 也 重要的 至 locate 这 拉-
向下 设备 next 至 这个 管脚.
布局 仔细考虑
mosfets 转变 非常 快 和 efficiently. 这 速 和
这个 这 电流 transitions 从 一个 设备 至 另一
导致 电压 尖刺 横过 这 interconnecting
阻抗 和 parasitic 电路 elements. 这些 电压
尖刺 能 降级 efficiency, radiate 噪音 在 这 电路
和 含铅的 至 设备 在-电压 压力. 细致的 组件
布局 和 打印 电路 设计 降低 这 电压
尖刺 在 这 转换器. 考虑, 作 一个 例子, 这 turnoff
转变 的 这 upper pwm 场效应晶体管. 较早的 至 turnoff, 这
upper 场效应晶体管 是 carrying 频道 电流. 在 这
turnoff, 电流 stops flowing 在 这 upper 场效应晶体管 和 是
picked 向上 用 这 更小的 场效应晶体管. 任何 电感 在 这
切换 电流 path 发生 一个 大 电压 尖刺 在
这 切换 间隔. 细致的 组件 选择, tight
布局 的 这 核心的 组件, 和 短的, 宽 电路
查出 降低 这 巨大 的 电压 尖刺. 联系
Intersil
为 evaluation 板 绘画 的 这 组件
placement 和 打印 电路 板.
那里 是 二 sets 的 核心的 组件 在 一个 直流-直流
转换器 使用 一个 hip6311 控制 和 一个 hip6601 门
驱动器. 这 电源 组件 是 这 大多数 核心的 因为
它们 转变 大 amounts 的 活力. next 是 小 信号
组件 那 连接 至 敏感的 nodes 或者 供应
核心的 bypassing 电流 和 信号 连接.
这 电源 组件 应当 是 放置 first. locate 这
输入 电容 关闭 至 这 电源 switches. 降低 这
长度 的 这 连接 在 这 输入 电容, C
在
,
和 这 电源 switches. locate 这 输出 inductors 和
输出 电容 在 这 mosfets 和 这 加载.
locate 这 门 驱动器 关闭 至 这 mosfets.
50 10010 20 200 500 1,000 5,000 10,0002,000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1,000
R
T
(k
Ω
)
频道 振荡器 频率, f
SW
(khz)
图示 10. 阻抗 r
T
vs 频率
HIP6311HIP6311
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