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一个 下落 转变 在 pwm indicates 这 转变-止 的 这 upper
场效应晶体管 和 这 转变-在 的 这 更小的 场效应晶体管. 一个 短的
传播 延迟 [tpdl
UGATE
] 是 encountered 在之前 这
upper 门 begins 至 下降 [tf
UGATE
]. 又一次, 这 adaptive
shoot-通过 电路系统 确定 这 更小的 门 延迟 时间,
TPDH
LGATE
. 这 阶段 电压 是 监控 和 这 更小的
门 是 允许 至 上升 之后 阶段 drops 在下 0.5v. 这
更小的 门 然后 rises [tr
LGATE
], turning 在 这 更小的
场效应晶体管.
三-状态 pwm 输入
一个 唯一的 特性 的 这 hip660x 驱动器 是 这 增加 的 一个
关闭 window 至 这 pwm 输入. 如果 这 pwm 信号
enters 和 仍然是 在里面 这 关闭 window 为 一个 设置
holdoff 时间, 这 输出 驱动器 是 无能 和 两个都
场效应晶体管 门 是 牵引的 和 使保持 低. 这 关闭 状态
是 移除 当 这 pwm 信号 moves 外部 这
关闭 window. 否则, 这 pwm rising 和 下落
门槛 概述 在 这 电的 规格
决定 当 这 更小的 和 upper 门 是 使能.
adaptive shoot-通过 保护
两个都 驱动器 包含 adaptive shoot-通过 保护
至 阻止 upper 和 更小的 mosfets 从 组织
同时发生地 和 shorting 这 输入 供应. 这个 是
accomplished 用 ensuring 这 下落 门 有 转变 止 一个
场效应晶体管 在之前 这 其它 是 允许 至 上升.
在 转变-止 的 这 更小的 场效应晶体管, 这 lgate 电压 是
监控 直到 它 reaches 一个 1.0v 门槛, 在 这个 时间 这
ugate 是 released 至 上升. adaptive shoot-通过 电路系统
monitors 这 阶段 电压 在 ugate 转变-止. once
阶段 有 dropped 在下 一个 门槛 的 0.5v, 这 lgate
是 允许 至 上升. 阶段 持续 至 是 监控 在
这 更小的 门 上升 时间. 如果 这 阶段 电压 超过 这
0.5v 门槛 在 这个 时期 和 仍然是 高 为 变长
比 2
µ
s, 这 lgate transitions 低. 两个都 upper 和 更小的
门 是 然后 使保持 低 直到 这 next rising 边缘 的 这 PWM
信号.
电源-在 重置 (por) 函数
在 最初的 startup, 这 vcc 电压 上升 是 监控 和
门 驱动 是 使保持 低 直到 一个 典型 vcc rising 门槛
的 9.9v 是 reached. once 这 rising vcc 门槛 是
超过, 这 pwm 输入 信号 takes 控制 的 这 门
驱动. 如果 VCC drops 在下 一个 典型 VCC 下落 门槛 的
9.1v 在 运作, 然后 两个都 门 驱动 是 又一次 使保持
低. 这个 情况 persists 直到 这 vcc 电压 超过
这 vcc rising 门槛.
内部的 自举 设备
两个都 驱动器 特性 一个 内部的 自举 设备. simply
adding 一个 外部 电容 横过 这 激励 和 阶段
管脚 完成 这 自举 电路.
这 自举 电容 必须 有 一个 最大 电压
比率 在之上 vcc + 5v. 这 自举 电容 能 是
选择 从 这 下列的 等式:
在哪里 Q
门
是 这 数量 的 门 承担 必需的 至 全部地
承担 这 门 的 这 upper 场效应晶体管. 这
∆
V
激励
期 是
defined 作 这 容许的 droop 在 这 栏杆 的 这 upper 驱动.
作 一个 例子, 假定 一个 huf76139 是 选择 作 这
upper 场效应晶体管. 这 门 承担, q
门
, 从 这 数据
薄板 是 65nc 为 一个 10v upper 门 驱动. 我们 将 假设 一个
200mv droop 在 驱动 电压 在 这 pwm 循环. 我们 find
那 一个 自举 电容 的 在 least 0.325
µ
f 是 必需的.
这 next 大 标准 值 电容 是 0.33
µ
f.
门 驱动 电压 versatility
这 HIP6601 和 HIP6603 提供 这 用户 总的 flexibility 在
choosing 这 门 驱动 电压. 这 hip6601 更小的 门
驱动 是 fixed 至 vcc [+12v], 但是 这 upper 驱动 栏杆 能
范围 从 12v 向下 至 5v 取决于 在 what 电压 是
应用 至 pvcc. 这 hip6603 ties 这 upper 和 更小的
驱动 围栏 一起. simply 应用 一个 电压 从 5v 向上 至
12v 在 pvcc 将 设置 两个都 驱动器 栏杆 电压.
电源 消耗
包装 电源 消耗 是 mainly 一个 函数 的 这
切换 频率 和 总的 门 承担 的 这 选择
mosfets. Calculating 这 电源 消耗 在 这 驱动器 为
一个 desired 应用 是 核心的 至 ensuring safe 运作.
exceeding 这 最大 容许的 电源 消耗 水平的
将 推 这 ic 在之外 这 最大 推荐
运行 接合面 温度 的 125
o
c. 这 最大
容许的 ic 电源 消耗 为 这 so8 包装 是
大概 800mw. 当 designing 这 驱动器 在 一个
应用, 它 是 推荐 那 这 下列的 计算
是 执行 至 确保 safe 运作 在 这 desired
频率 为 这 选择 mosfets. 这 电源 dissipated
用 这 驱动器 是 近似 作:
在哪里 f
sw
是 这 切换 频率 的 这 pwm 信号. v
U
和 v
L
代表 这 upper 和 更小的 门 栏杆 电压. q
U
和 q
L
是 这 upper 和 更小的 门 承担 决定 用
场效应晶体管 选择 和 任何 外部 电容 增加 至
这 门 管脚. 这 I
DDQ
V
CC
产品 是 这 安静的 电源
的 这 驱动器 和 是 典型地 30mw.
这 电源 消耗 approximation 是 一个 结果 的 电源
transferred 至 和 从 这 upper 和 更小的 门. 但是, 这
内部的 自举 设备 也 dissipates 电源 在-碎片
在 这 refresh 循环. expressing 这个 电源 在 条款 的
这 upper 场效应晶体管 总的 门 承担 是 explained 在下.
C
激励
Q
门
∆
V
激励
------------------------
≥
P 1.05f
sw
3
2
---
V
U
Q
U
V
L
Q
L
+
I
DDQ
V
CC
+=
hip6601, hip6603
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