12
Q4
如果 一个 p-频道 场效应晶体管 是 使用 至 转变 这 5vsb 输出
的 这 atx 供应 在 这 5v
双
输出 在 s3 和
s4/s5 states (作 dictated 用 en5vdl 状态), 然后, 类似的
至 这 situation 在哪里 Q1 是 一个 场效应晶体管, 这 选择 criteria
的 这个 设备 是 也 恰当的 电压 budgeting. 这
最大 r
ds(在)
, 不管怎样, 有 至 是 达到 和 仅有的
4.5v 的 V
GS
, 所以 一个 逻辑 水平的 场效应晶体管 needs 至 是 选择.
如果 一个 pnp 设备 是 选择 至 执行 这个 函数, 它 有 至
有 一个 低 饱和 电压 当 供应 这 最大
睡眠-状态 电流 和 有 一个 电流 增益 sufficiently 高
至 是 saturated 使用 这 最小 驱动 电流 (典型地
20ma; 4ma 在 软-开始).
q3, q5
这 二 n-频道 mosfets 是 使用 至 转变 这 3.3v
和 5v 输入 提供 用 这 atx 供应 在 这
3.3vdual 和 5VDUAL 输出, 各自, 当 在 起作用的
(s0, s1) states. 类似的 r
ds(在)
criteria 应用 在 这些 具体情况
作 好, 不像 这 pmos, 不管怎样, 这些 NMOS 晶体管
得到 这 benefit 的 一个 增加 V
GS
驱动 (大概 8V
和 7v, 各自).
Q2
这 NPN 晶体管 使用 作 睡眠-状态 通过 元素 在 这
3.3v
双
输出 必须 有 一个 最小 电流 增益 的 100
在 v
CE
= 1.5v, 和 i
CE
= 500ma 全部地 这 在-电路
运行 温度 范围.
HIP6501A
: 点此下载
