2n5114jan/jantx/jantxv 序列
vishay siliconix
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9-2
文档 号码: 70261
s-04030
—
rev. e, 04-六月-01
限制
2N5114 2N5115 2N5116
参数 标识 测试 情况 Typ
一个
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
门-源
损坏 电压
V
(br)gss
I
G
= 1
一个 , v
DS
= 0 v
45 30 30 30
V
门-源 截止 电压 V
gs(止)
V
DS
=
–
15 v, i
D
=
–
1 na 5 10 3 6 1 4
V
V
DS
=
–
18 v
–
30
–
90
饱和 流 电流
b
I
DSS
V
GS
= 0 v
V
DS
=
–
15 v
–
15
–
60
–
5
–
25
毫安
V
GS
= 20 v, v
DS
= 0 v 5 500 500 500 pA
门 反转 电流 I
GSS
T
一个
= 150
C
0.01 1 1 1
一个
门 运行 电流
c
I
G
V
DG
=
–
15 v, i
D
=
–
1 毫安
–
5
V
GS
= 12 v
–
10
–
500
V
DS
=
–
15 v
V
GS
= 7 v
–
10
–
500
pA
DS
V
GS
= 5 v
–
10
–
500
流 截止 电流 I
d(止)
V
GS
= 12 v
–
0.02
–
1
V
DS
=
–
15 v
T = 150
C
V
GS
= 7 v
–
0.02
–
1
一个
T
一个
= 150
C
V
GS
= 5 v
–
0.02
–
1
I
D
=
–
15 毫安
–
1.0
–
1.3
流-源 在-电压 V
ds(在)
V
GS
= 0 v
I
D
=
–
7 毫安
–
0.7
–
0.8
V
ds(在) GS
I
D
=
–
3 毫安
–
0.5
–
0.6
流-源 在-阻抗 r
ds(在)
V
GS
= 0 v, i
D
=
–
1 毫安 75 100 150
门-源 向前 电压 V
gs(f)
I
G
=
–
1 毫安 , v
DS
= 0 v
–
0.7
–
1
–
1
–
1 V
动态
流-源 在-阻抗 r
ds(在)
V
GS
= 0 v, i
D
= 0 毫安 , f = 1 khz 75 100 175
一般-源
输入 电容
C
iss
V
DS
=
–
15 v, v
GS
= 0 v
f = 1 mhz
20 25 25 27
V
GS
= 12 v 5 7
pF
一般-源
反转 转移 电容
C
rss
V
DS
= 0 v
f = 1 mhz
V
GS
= 7 v 6 7
pF
反转 转移 电容
rss
f = 1 mhz
V
GS
= 5 v 6 7
切换
t
d(在)
6 10 25
转变-在 时间
t
r
10 20 35
t
d(止)
看 切换 电路
6 8 20
ns
转变-止 时间
t
f
15 30 60
注释
一个. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试. PSCIA
b. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
3%.
c. 这个 参数 不 注册 和 电子元件工业联合会.
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