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资料编号:38173
 
资料名称:2N5197
 
文件大小: 59.25K
   
说明
 
介绍:
Monolithic N-Channel JFET Duals
 
 


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2n5196/5197/5198/5199
vishay siliconix
www.vishay.com
8-4
文档 号码: 70252
s-04031
rev. d, 04-六月-01



5
0
5
4
3
2
1
4
2
1
0
0302010 40 50
3
2.6
2.2
1
3
流 电流 和 跨导
vs. 门-源 截止 电压
门 泄漏 电流
V
gs(止)
门-源 截止 电压 (v) V
DG
流-门 电压 (v)
0.1 pa
10 pa
1 pa
I
DSS
@ v
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v
g
fs
@ v
DG
= 15 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
g
fs
I
DSS
I
GSS
@ 125
C
I
GSS
@ 25
C
T
一个
= 125
C
T
一个
= 25
C
200
一个
100 pa
1 na
10 na
100 na
5
4
3
2
1
0
输出 特性 输出 特性
V
DS
流-源 电压 (v) V
DS
流-源 电压 (v)
0.2 v
0.4 v
0.6 v
0.3 v
0.9 v
0.6 v
2.1 v
1.5 v
0.8 v
1.0 v
1.2 v
1.2 v
1.8 v
V
gs(止)
=
2 v
V
GS
= 0 v
5
4
3
2
1
0
V
GS
= 0 v
V
gs(止)
=
3 v
2
0 0.6 0.80.40.2 1
1.6
1.2
0.8
0.4
0
输出 特性 输出 特性
V
DS
流-源 电压 (v) V
DS
流-源 电压 (v)
0.2 v
0.4 v
0.6 v
0.8 v
1.0 v
1.2 v
1.4 v
V
gs(止)
=
2 v
V
GS
= 0 v
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0 0.6 0.80.40.2 1
V
GS
= 0 v
V
gs(止)
=
3 v
0.3 v
0.9 v
0.6 v
2.1 v
1.5 v
1.2 v
2.4 v
1.8 v
1.8
1.4
50
一个
I
G
@ i
D
= 200
一个
1.6 v
012168420
1.4 v
2.4 v
012168420
50
一个
g
fs
向前 跨导 (ms)
I
DSS
饱和 流 电流 (毫安)
I
G
门 泄漏
I
D
流 电流 (毫安)
I
D
流 电流 (毫安)I
D
流 电流 (毫安)
I
D
流 电流 (毫安)
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