2n5196/5197/5198/5199
vishay siliconix
文档 号码: 70252
s-04031
—
rev. d, 04-六月-01
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8-5
0.01 0.1 1
10
1
0
–
1.5
–
1.0
–
0.5
–
2.0
–
2.5
4
3
2
1
0
0.01 0.1 1
130
120
80
110
100
90
0.01 0.1 1
100
10
1
100
5
0.1 10.01
100
80
60
40
20
0
转移 特性
门-源 差别的 电压
vs. 流 电流
电压 差别的 和 温度
vs. 流 电流
一般 模式 拒绝 比率
vs. 流 电流
cmrr (db)
V
GS
–
门-源 电压 (v) I
D
–
流 电流 (毫安)
I
D
–
流 电流 (毫安) I
D
–
流 电流 (毫安)
I
D
–
流 电流 (毫安)
2N5196
T
一个
=
–
55
C
125
C
V
gs(止)
=
–
2 v
V
DG
= 20 v
T
一个
= 25 至 125
C
T
一个
=
–
55 至 25
C
V
DG
= 20 v
T
一个
= 25
C
5
–
10 v
V
gs(止)
=
–
3 v
电路 电压 增益 vs. 流 电流
2N5199
2N5196
2N5199
在-阻抗 vs. 流 电流
I
D
–
流 电流 (毫安)
0.01 0.1 1
1 k
800
600
400
200
0
V
gs(止)
=
–
2 v
一个
V
g
fs
R
L
1
R
L
g
os
R
L
10 V
I
D
假设 v
DD
= 15 v, v
DS
= 5 v
V
DS
= 20 v
V
gs(止)
=
–
2 v
V
gs(止)
=
–
3 v
25
C
V
DG
= 10
–
20 v
(mv)
V
GS1
V
GS2
–
v/
C
()
t
V
GS1
V
GS2
–
V
GS1
V
GS2
–
V
DG
cmrr = 20 log
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 (
Ω )
I
D
–
流 电流 (毫安)
一个
V
–
电压 增益
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