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资料编号:38175
 
资料名称:2N5199
 
文件大小: 59.25K
   
说明
 
介绍:
Monolithic N-Channel JFET Duals
 
 


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2n5196/5197/5198/5199
vishay siliconix
www.vishay.com
8-2
文档 号码: 70252
s-04031
rev. d, 04-六月-01



限制
2N5196 2N5197
参数 标识 测试 情况 Typ
一个
最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
门-源 损坏 电压 V
(br)gss
I
G
=
1
一个, v
DS
= 0 v
57
50
50
门-源 截止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 20 v, i
D
= 1 na
2
0.7
4
0.7
4
V
饱和 流 电流
b
I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v 3 0.7
7
0.7
7
毫安
V
GS
=
30 v, v
DS
= 0 v
10
25
25 pA
门 反转 电流 I
GSS
T
一个
= 150
C
20
50
50 nA
V
DG
= 20 v, i
D
= 200
一个
5
15
15 pA
门 运行 电流 I
G
T
一个
= 125
C
0.8
15
15 nA
门-源 电压 V
GS
V
DG
= 20 v, i
D
= 200
一个
1.5
0.2
3.8
0.2
3.8 V
动态
一般-源
向前 跨导
g
fs
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v
2.5 1 4 1 4 mS
一般-源
输出 conductance
g
os
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
2 50 50
S
一般-源
向前 跨导
g
fs
V
DS
= 20 v, i
D
= 200
一个
0.8 0.7 1.6 0.7 1.6 mS
一般-源
输出 conductance
g
os
V
DS
= 20 v, i
D
= 200
一个
f = 1 khz
1 4 4
S
一般-源
输入 电容
C
iss
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v
3 6 6
一般-源
反转 转移 电容
C
rss
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v
f = 1 mhz
1 2 2
pF
相等的 输入 噪音 电压 e
n
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v, f = 1 khz 9 20 20
nV
Hz
噪音 图示 NF
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v
f = 100 hz, r
G
= 10 m
0.5 0.5 dB
相一致
差别的 门-源 电压
|
V
GS1
V
GS2
|
V
DG
= 20 v, i
D
= 200
一个
5 5 mV
门-源 电压 差别的
改变 和 温度
|
V
GS1
V
GS2
|
T
V
DG
= 20 v, i
D
= 200
一个
T
一个
=
55 至 125
C
5 10
v/
C
饱和 流 电流 比率
I
DSS1
I
DSS2
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v 0.98 0.95 1 0.95 1
跨导 比率
g
fs1
g
fs2
V
DS
= 20 v, i
D
= 200
一个
0.99 0.97 1 0.97 1
差别的 输出 conductance
|
g
os1
g
os2
|
V
DS
= 20 v, i
D
= 200
一个
f = 1 khz
0.1 1 1
S
差别的 门 电流
|
I
G1
I
G2
|
V
DG
= 20 v, i
D
= 200
一个 , t
一个
= 125
C
0.1 5 5 nA
一般 模式 拒绝 比率
c
CMRR
V
DG
= 10 至 20 v, i
D
= 200
一个
100 dB
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