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资料编号：38281
 
资料名称：2N5087
 
文件大小： 300.76K
   
说明：
 
介绍:
Amplifier Transistor(PNP Silicon)
 
 


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©2003 仙童 半导体 公司 rev. b1, 九月 2003
2n5086/2n5087/mmbt5087
热的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
×
1.6”
×
0.06."
标识 参数
最大值
单位
2N5086
2N5087
*MMBT5087
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
625
5.0
350
2.8
mW
mw/
°
C
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 83.3
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 200 357
°
c/w
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