2N5087_集成电路资料查询网

©2003 仙童 半导体 公司 rev. b1, 九月 2003
2n5086/2n5087/mmbt5087
典型 特性
图示 1. 典型 搏动 电流 增益
vs 集电级 电流
图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
vs 集电级 电流
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
vs 集电级 电流
图示 4. 根基-发射级 在 电压
vs 集电级 电流
图示 5. 集电级 截止 电流
vs 包围的 温度
图示 6. 输入 和 输出 电容
vs 反转 voltag
0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 30 100
50
10 0
15 0
20 0
25 0
30 0
35 0
i   - 集电级 电流  (毫安)
h    -TYpical pULSed current 增益
C
FE
125 °c
25 °c
- 40 °c
V= 5v
CB
β
β
0.1 1 1 0
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I  -集电级 电流  (毫安)
v        - collector em ITTE r voltage (v)
C
CESAT
β
= 10
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
β
β
0.1 1 10 50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i   -集电级 电流  (毫安)
v        - base em ITTE r voltage (v)
C
BESAT
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
β
= 10
β
β
0.1 1 10 25
0
0. 2
0. 4
0. 6
0. 8
1
i   -集电级 电流  (毫安)
V- base 发射级 在 电压 (v)
C
BEON
v     = 5v
CE
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
β
β
25 50 75 100 125
0.01
0.1
1
10
10 0
T-一个 MBI E NTTEMP ER 在UR e (c)
i      - collector 电流 (na)
一个
CBO
°
V= 40v
CB
048121620
0
4
8
12
16
20
反转偏差 电压 (v)
电容 (pf)
f = 1MHz
C
obo
C
ibo
β
β

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©2003 仙童半导体公司 rev. b1, 九月 2003 2n5086/2n5087/mmbt5087 典型特性图示 1. 典型搏动电流增益 vs 集电级电流图示 2. 集电级-发射级饱和电压 vs 集电级电流图示 3. 根基-发射级饱和电压 vs 集电级电流图示 4. 根基-发射级在电压 vs 集电级电流图示 5. 集电级截止电流 vs 包围的温度图示 6. 输入和输出电容 vs 反转 voltag 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 30 100 50 10 0 15 0 20 0 25 0 30 0 35 0 i - 集电级电流 (毫安) h -TYpical pULSed current 增益 C FE 125 °c 25 °c - 40 °c V= 5v CB β β 0.1 1 1 0 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 I -集电级电流 (毫安) v - collector em ITTE r voltage (v) C CESAT β = 10 25 ° C - 40 ° C 125 ° C β β 0.1 1 10 50 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 i -集电级电流 (毫安) v - base em ITTE r voltage (v) C BESAT 25 ° C - 40 ° C 125 ° C β = 10 β β 0.1 1 10 25 0 0. 2 0. 4 0. 6 0. 8 1 i -集电级电流 (毫安) V- base 发射级在电压 (v) C BEON v = 5v CE 25 ° C - 40 ° C 125 ° C β β 25 50 75 100 125 0.01 0.1 1 10 10 0 T-一个 MBI E NTTEMP ER 在UR e (c) i - collector 电流 (na) 一个 CBO ° V= 40v CB 048121620 0 4 8 12 16 20 反转偏差电压 (v) 电容 (pf) f = 1MHz C obo C ibo β β

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