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资料编号:38281
 
资料名称:2N5087
 
文件大小: 300.76K
   
说明
 
介绍:
Amplifier Transistor(PNP Silicon)
 
 


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©2003 仙童 半导体 公司 rev. b1, 九月 2003
2n5086/2n5087/mmbt5087
典型 一般 发射级 特性
(f = 1.0khz)
典型 一般 发射级 特性 典型 一般 发射级 特性
典型 一般 发射级 特性
-25-20-15-10-50
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
v - 集电级-发射级 电压 (v)
HARACTERIS TICs rel.至 value,v =-5.0V
CE
t = -25 c
一个
I = 1.0 毫安
C
CE
h
oe
h 和 h
fe ie
f = 1.0 khz
°
0.1 0.2 0.5 1 2 5 1 0
0.01
0.1
1
10
10 0
i - 集电级 current (毫安)
haracteristics rel. 至 值, i =1.0ma
C
t = -25 c
一个
v = -5.0v
CE
C
h
ie
f = 1.0 kHz
°
h
fe
h
oe
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
t - ambient 温度erature ( c)
CHARACTERIStics rel. 至 值, t = 25 c
一个
v = -5.0v
CE
一个
h
oe
f = 1.0 khz
h
fe
h
ie
°
°
i = 1.0 毫安
C
h 和 h
fe oe
h
ie
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