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资料编号:38323
 
资料名称:2N6027RLRA
 
文件大小: 148.85K
   
说明
 
介绍:
Programmable Unijunction Transistor
 
 


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2n6027, 2n6028
http://onsemi.com
4
V
S
, 供应 电压 (伏特) T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
i , valley 电流 ( 一个)
V
100
10
1000
1051520
500
5
10
0–50 +50 +100
100
R
G
= 10 k
100 k
1 m
–25 +25 +75
R
G
= 10 k
100 k
1 m
µ
典型 valley 电流 行为
I
F
, 顶峰 向前 电流 (放大) V
S
, 供应 电压 (伏特)
v , 顶峰 向前 电压 (伏特)
F
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0.5
1.0
0.020.01 0.05 0.1
10
20
5.0
0
15
1002030
25
T
一个
= 25
°
C
5.0 15 25
C
C
= 0.2
µ
F
1000 pf
v , 顶峰 输出 电压 (伏特)
o
T
一个
= 25
°
C
(看 图示 3)
i , valley 电流 ( 一个)
V
µ
2.0
5.0
10
0.2 2.00.5 1.0 5.0 35 40
一个
K
G
K
一个
G
E
P
N
N
P
电路 标识
B2
B1
R
1
R
2
R1
r1 + r2
R
BB
= r1 + r2
η
=
相等的 电路
和 外部 “program”
电阻器 r1 和 r2
典型 应用
C
C
R
T
K
一个
G
R
2
R
1
+
图示 4. 效应 的 供应 电压 图示 5. 效应 的 温度
图示 6. 向前 电压 图示 7. 顶峰 输出 电压
图示 8. 可编程序的 unijunction
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