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手机版
资料编号:38438
资料名称:
2N7002E
文件大小: 81.36K
说明
:
介绍
:
N-channel TrenchMOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
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6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1.
产品 profile
1.1
一般 描述
n-频道 增强 模式 地方-效应 晶体管 (场效应晶体管) 在 一个 塑料 包装 使用
trenchmos™ 技术.
1.2
特性
1.3
产品
1.4
快 涉及 数据
2.
固定 信息
2N7002E
n-频道 trenchmos™ 场效应晶体管
rev. 02 — 26 april 2005
产品 数据 薄板
■
逻辑 水平的 门槛 兼容
■
非常 快 切换
■
表面-挂载 包装
■
trenchmos™ 技术
■
逻辑 水平的 翻译
■
高 速 线条 驱动器
■
V
DS
≤
60
V
■
I
D
≤
385
毫安
■
R
DSon
≤
3
Ω
■
P
tot
=
0.83
W
表格 1:
固定
管脚
描述
simplified 外形
标识
1
门 (g)
SOT23
2
源 (s)
3
流 (d)
12
3
S
D
G
mbb076
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