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资料编号:38438
 
资料名称:2N7002E
 
文件大小: 81.36K
   
说明
 
介绍:
N-channel TrenchMOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1. 产品 profile
1.1 一般 描述
n-频道 增强 模式 地方-效应 晶体管 (场效应晶体管) 在 一个 塑料 包装 使用
trenchmos™ 技术.
1.2 特性
1.3 产品
1.4 快 涉及 数据
2. 固定 信息
2N7002E
n-频道 trenchmos™ 场效应晶体管
rev. 02 — 26 april 2005 产品 数据 薄板
逻辑 水平的 门槛 兼容
非常 快 切换
表面-挂载 包装
trenchmos™ 技术
逻辑 水平的 翻译
高 速 线条 驱动器
V
DS
60 V
I
D
385 毫安
R
DSon
3
P
tot
= 0.83 W
表格 1: 固定
管脚 描述 simplified 外形 标识
1 门 (g)
SOT23
2 源 (s)
3 流 (d)
12
3
S
D
G
mbb076
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