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产品 数据 薄板 rev. 02 — 26 april 2005 2 的 11
飞利浦 半导体
2N7002E
n-频道 trenchmos™ 场效应晶体管
3. 订货 信息
4. 限制的 值
表格 2: 订货 信息
类型 号码 包装
名字 描述 版本
2N7002E 至-236ab 塑料 表面 挂载 包装; 3 leads SOT23
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) 25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C - 60 V
V
DGR
流-门 电压 (直流) 25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
c; r
GS
=20k
Ω
-60v
V
GS
门-源 电压 (直流) -
±
30 V
V
GSM
顶峰 门-源 电压 t
p
≤
50
µ
s; 搏动; 职责 循环 = 25 % -
±
40 V
I
D
流 电流 (直流) T
sp
=25
°
c; v
GS
=10v;图示 2和 3 - 385 毫安
T
sp
= 100
°
c; v
GS
=10v;图示 2 - 245 毫安
I
DM
顶峰 流 电流 T
sp
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s; 图示 3 - 1.5 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
sp
=25
°
c; 图示 1 - 0.83 W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
65 +150
°
C
源-流 二极管
I
S
源 (二极管 向前) 电流 (直流) T
sp
=25
°
C - 385 毫安
I
SM
顶峰 源 (二极管 向前) 电流 T
sp
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s - 1.5 一个