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产品 数据 薄板 rev. 02 — 26 april 2005 5 的 11
飞利浦 半导体
2N7002E
n-频道 trenchmos™ 场效应晶体管
6. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
=10
µ
一个; v
GS
=0V
T
j
=25
°
c60--v
T
j
=
−
55
°
c55--v
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9和 10
T
j
=25
°
C 123V
T
j
= 150
°
C 0.6 - - V
T
j
=
−
55
°
C - - 3.5 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=48v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C - 0.01 1
µ
一个
T
j
= 150
°
C --10
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
15 v; v
DS
= 0 V - 10 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
=10v; i
D
= 500 毫安; 图示 6和 8
T
j
=25
°
C - 2.3 3
Ω
T
j
= 150
°
C - 4.2 5.55
Ω
V
GS
= 4.5 v; i
D
= 75 毫安; 图示 6和 8 - 3.1 4
Ω
动态 特性
g
fs
向前 跨导 V
DS
=10v; i
D
= 200 毫安 100 300 - mS
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 10 v; f = 1 mhz;
图示 11
-2540pf
C
oss
输出 电容 - 18 30 pF
C
rss
反转 转移 电容 - 7.5 10 pF
t
在
转变-在 延迟 时间 V
DD
=50v; r
L
= 250
Ω
; v
GS
=10v;
R
G
=50
Ω;
R
GS
=50
Ω
- 3 10 ns
t
止
转变-止 延迟 时间 - 12 15 ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 300 毫安; v
GS
=0v;图示 12 - 0.85 1.5 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 300 毫安; di
S
/dt =
−
100 一个/
µ
s;
V
GS
=0V
-30-ns
Q
r
recovered 承担 - 30 - nC