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产品 数据 薄板 rev. 02 — 26 april 2005 6 的 11
飞利浦 半导体
2N7002E
n-频道 trenchmos™ 场效应晶体管
T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值
图 6. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值
T
j
=25
°
c 和 150
°
c; v
DS
>i
D
×
R
DSon
图 7. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度
03ai12
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 0.8 1.6 2.4 3.2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
3
T
j
= 25
°
C V
GS
(v) =
3.5
4
10
4.5
5
67
2.5
03ai14
0
2
4
6
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
I
D
(一个)
R
DSon
(
Ω
)
3.5
T
j
= 25
°
C
4.5
4
7
6
5
10
V
GS
(v) =
03ai16
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0246
V
GS
(v)
I
D
(一个)
T
j
= 25
°
C
150
°
C
03aa28
0
0.6
1.2
1.8
2.4
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
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=
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