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资料编号:38468
 
资料名称:2N7002T
 
文件大小: 85.79K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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ds30301 rev. 2 - 2 2 的 3 2N7002T
www.二极管.com
电的 chacteristics
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
止 特性 (便条 1)
流-源 损坏 电压
BV
DSS
60

V
V
GS
= 0v, i
D
= 10
一个
零 门 电压 流 电流 @ t
C
= 25°c
@ t
C
= 125°c
I
DSS

1.0
500
µA
V
DS
= 60v, v
GS
= 0v
门-身体 泄漏
I
GSS

±10 nA
V
GS
= ±20v, v
DS
= 0v
在 特性 (便条 1)
门 门槛 电压
V
gs(th)
1.0
2.0 V
V
DS
= v
GS
, i
D
=-250
一个
静态的 流-源 在-阻抗 @ T
j
= 25°c
@T
j
= 125°c
R
ds (在)
2.0
4.4
7.5
13.5
V
GS
= 5.0v, i
D
= 0.05a
V
GS
= 10v, i
D
= 0.5a
在-状态 流 电流
I
d(在)
0.5 1.0
一个
V
GS
= 10v, v
DS
= 7.5v
向前 跨导
g
FS
80

mS
V
DS
=10v, i
D
= 0.2a
动态 特性
输入 电容
C
iss
22 50 pF
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v
f = 1.0mhz
输出 电容
C
oss
11 25 pF
反转 转移 电容
C
rss
2.0 5.0 pF
t
d(在)
7.0 20 ns
V
DD
= 30v, i
D
= 0.2a,
R
L
= 150
,v
GEN
= 10v,
R
GEN
= 25
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
11 20 ns
便条: 1. 短的 持续时间 测试 脉冲波 使用 至 降低 自-加热 效应.
TCUDORPWEN
0
0.2
0.1
0.4
0.3
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
012
3
4
5
I , 流-源 电流 (一个)
D
V , 流-源 电压 (v)
DS
Fig. 1 在-区域 特性
V = 10,7,6v
GS
V=5V
GS
V=4V
GS
V=3V
GS
0.6
1
1.4
1.8
00.2
R
,
RMALIZED
ds(在)
流-源 在-阻抗
I , 流-源 电流 (一个)
D
图. 2 在-阻抗 变化 电压 流-源 电流
V=3V
GS
V=4V
GS
V = 5, 6, 7, 10V
GS
2.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.7
0.8
0.9
1.1
1
1.2
-50 -25
0
25
50
75
100 125
150
v,nORMALIZED THRESHOLD VOLTAGE
gs(th)
T , 接合面 温度 (
°
c)
J
图. 3 门槛 变化 温度
0.4
0.8
0.6
1.2
1.8
1.6
1.4
1
2.2
2
-50 -25
02550
75
100
125 150
r,nORMALIZED 在-阻抗
ds(在)
T , 接合面 温度 (
°
c)
J
图. 4 在-阻抗 变化 温度
V = 10V
GS
I = 500mA
D
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