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资料编号:385280
 
资料名称:HRF3205S
 
文件大小: 191.09K
   
说明
 
介绍:
100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4-30
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 othewise 指定
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DSS
55 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
) (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
55 V
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
GS
±
20V V
流 电流
持续的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
搏动 流 电流 (便条 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
100
390
一个
一个
搏动 avalanche 比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .e
图示 10
电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P
D
减额 在之上 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
175
1.17
W
w/
o
C
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
J
, t
STG
-55 至 175
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 150
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 55 - - V
门 至 源 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
a2-4v
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 55v, v
GS
= 0v - - 25
µ
一个
V
DS
= 44v, v
GS
= 0v, t
C
= 150
o
C - - 250
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - - 100 nA
损坏 电压 温度
系数
V
(br)dss
/
T
J
涉及 至 25
o
c, i
D
= 250
µ
一个 - 0.057 - V
流 至 源 在 阻抗 r
ds(在)
I
D
= 59a, v
GS
= 10v (图示 4) - 0.0065 0.008
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 28v, i
D
59a,
R
L
= 0.47
, v
GS
=
10v,
R
GS
= 2.5
-14 - ns
上升 时间 t
r
- 100 - ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-43 - ns
下降 时间 t
f
-70 - ns
总的 门 承担 Q
g
V
DD
= 44v, i
D
59a,
V
GS
= 10v, i
g(ref)
= 3ma
(图示 6)
- - 170 nC
门 至 源 承担 Q
gs
- - 32 nC
门 至 流 “miller” 承担 Q
gd
- - 74 nC
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz (图示 5)
- 4000 - pF
输出 电容 C
OSS
- 1300 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
- 480 - pF
内部的 源 电感 L
S
量过的 从 这 联系
Screw Tab 中心 消逝
修改 场效应晶体管
标识 表明
内部的 设备 在-
ductances
- 7.5 - nH
量过的 从 这 流
含铅的, 6mm (0.25in) 从
包装 至 中心 的 消逝
内部的 流 电感 L
D
量过的 从 这 源
含铅的, 6mm (0.25in) head-
er 至 源 使牢固结合 垫子
- 4.5 - nH
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 0.85
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至
包围的
R
θ
JA
至-220 - - 62
o
c/w
至-263 (pcb 挂载, 稳步的 状态) - - 40
o
c/w
L
S
L
D
G
D
S
hrf3205, hrf3205s
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