3
典型 参数 在 t
C
= 25
°
C
部分 号码 序列 阻抗 运输车 存在期 反转 恢复 时间 总的 电容
hsmp- R
S
(
Ω
)
τ
(ns) T
rr
(ns) C
T
(pf)
381x 75 1500 300 0.27 @ 50 v
测试 情况 I
F
= 1 毫安 I
F
= 50 毫安 V
R
= 10 v f = 1 mhz
f = 100 mhz I
R
= 250 毫安 I
F
= 20 毫安
90% 恢复
典型 参数 在 t
C
= 25
°
c (除非 否则 指出), 单独的 二极管
10000
1000
100
10
1
rf 阻抗 (ohms)
0.01 0.1 1 10 100
I
F
– 向前 偏差 电流 (毫安)
T
一个
= +85
°
C
T
一个
= +25
°
C
T
一个
= –55
°
C
图示 2. rf 阻抗 vs. 向前
偏差 电流.
0.15
0.30
0.25
0.20
0.35
0.40
0.45
02 64101281614 18 20
总的 电容 (pf)
反转 电压 (v)
图示 1. rf 电容 vs. 反转
偏差.
1 mhz
30 mhz
频率>100 mhz
120
110
100
90
80
70
60
50
40
1000 100 10
二极管 挂载 作 一个
序列 attenuator
在 一个 50 ohm microstrip
和 测试 在 123 mhz
二极管 rf 阻抗 (ohms)
图示 3. 2nd 调和的 输入
intercept 要点 vs. 二极管 rf
阻抗.
输入 intercept 要点 (dbm)
100
10
1
0.1
0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
I
F
– 向前 电流 (毫安)
V
F
– 向前 电压 (毫安)
图示 4. 向前 电流 vs.
向前 电压.
125
°
C 25
°
C
–50
°
C
输入
rf 在/输出
图示 5. 四 二极管
π
attenuator. 看 应用 便条 1048
为 详细信息.
FIXED
偏差
电压
能变的 偏差
典型 产品 为 多样的 二极管 产品
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