m35–1/3
leshan 无线电 公司, 有限公司.
一般 目的 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
–50 V
collector–base 电压 V
CBO
–60 V
emitter–base 电压 V
EBO
–6.0 V
集电级 电流 — 持续的 I
C
–150 mAdc
集电级 电源 消耗 P
C
0.2 W
接合面 温度 T
j
150 °C
存储 温度 T
stg
-55
~
+150 °C
设备 标记
2sa1037ak*lt1 =g3f
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
collector–emitter 损坏 电压
V
(br)ceo
– 50 — — V
(i
C
= –1 毫安)
emitter–base 损坏 电压
V
(br)ebo
– 6 — — V
(i
E
= – 50
µ
一个)
collector–base 损坏 电压
V
(br)cbo
– 60 — — V
(i
C
= – 50
µ
一个)
集电级 截止 电流
I
CBO
— — – 0.1
µ
一个
(v
CB
= – 60 v)
发射级 截止 电流
I
EBO
— — – 0.1
µ
一个
(v
EB
= – 6 v)
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
— — -0.5 V
(i
C
/ i
B
= – 50 毫安 / – 5m 一个)
直流 电流 转移 比率 h
FE
120 –– 560 ––
(v
CE
= – 6 v, i
C
= –1ma)
转变 频率
f
T
— 140 –– MHz
(v
CE
= – 12 v, i
E
= 2ma, f=30mhz )
输出 电容
C
ob
— 4.0 5.0 pF
(v
CB
= – 12 v, i
E
= 0a, f =1mhz )
h
FE
值 是 classified 作 跟随:
QRS
hFE 120~270 180~390 270~560
1
3
2
2SA1037AK*LT1
情况 318–08, 样式 6
sot– 23 (to–236ab)
2
发射级
3
集电级
1
根基
*
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