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资料编号:38860
 
资料名称:2SA1037AK
 
文件大小: 146.69K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
 
 


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m35–3/3
leshan 无线电 公司, 有限公司.
图.7 集电级-发射级 饱和 电压 vs.
集电级 电流 ( )
–1
–0.5
–0.2
–0.1
–0.05
V
ce(sat)
, 集电级 饱和 电压(v)
I
C
, 集电级 电流
(毫安)
–0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10 –20 –50 –100
T
一个
= 100°c
25°C
–40°C
I
C
/i
B
= 10
2SA1037AK*LT1
图.8 增益 带宽 产品 vs. 发射级 电流
1000
500
200
100
50
f
r
, 转变 频率(mhz)
I
E
, 发射级 电流
(毫安)
–0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10 –20 –50 –100
T
一个
= 25°c
V
CE
= –12v
图.9 集电级 输出 电容 vs.集电级-根基 电压
发射级 inputcapacitance vs. 发射级-根基 电压
20
10
5
2
C
ob
, 集电级 输出 电容( pf)
C
ib
, 发射级 输入 电容 (pf)
V
CB
, 集电级 至 根基 电压 (v)
V
EB
, 发射级 至 根基 电压 (v)
–0.5 –1 –2 –5 –10 –20
T
一个
= 25°c
f =1mhz
I
E
= 0a
I
C
= 0a
C
ib
C
ob
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