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HVM14SR
2
绝对 最大 比率 (ta = 25
°
c)
Item 标识 值 单位
反转 电压 V
R
50 V
向前 电流 I
F
50 毫安
电源 消耗 P
d
*1
100 mW
接合面 温度 Tj 125
°
C
存储 温度 Tstg -55to+125
°
C
便条: 1. 二 设备 总的.
电的 特性 (ta = 25
°
c)
*2
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
向前 电压 V
F

1.0 V I
F
= 50 毫安
反转 电流 I
R

100 nA V
R
= 50v
电容 C

0.25

pF V
R
= 50v, f = 1 mhz
向前 阻抗 r
f

7
Ω
I
F
= 10 毫安, f = 100 mhz
静电释放-能力
*1

200

V c=200pf, 两个都 向前 和 反转 方向
1 脉冲波
便条: 1. 失败 标准 ; i
R
≥
200na 在 vr =50 v
便条: 2. 每 一个 设备.

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HVM14SR 2 绝对最大比率 (ta = 25 ° c) Item 标识值单位反转电压 V R 50 V 向前电流 I F 50 毫安电源消耗 P d 1 100 mW 接合面温度 Tj 125 ° C 存储温度 Tstg -55to+125 ° C 便条: 1. 二设备总的. 电的特性 (ta = 25 ° c) 2 Item 标识最小值典型值最大值单位测试情况向前电压 V F  1.0 V I F = 50 毫安反转电流 I R  100 nA V R = 50v 电容 C  0.25  pF V R = 50v, f = 1 mhz 向前阻抗 r f  7 Ω I F = 10 毫安, f = 100 mhz 静电释放-能力 *1  200  V c=200pf, 两个都向前和反转方向 1 脉冲波便条: 1. 失败标准 ; i R ≥ 200na 在 vr =50 v 便条: 2. 每一个设备.

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