绝对 最大 比率
(便条 3)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
pleasecontactthe
CSMSC
Semiconductor出售s办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+ 0.3v
电源 消耗 (便条 4) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 5) 3500V
静电释放 Susceptibility (便条 6) 250V
接合面 温度 150˚C
焊接 信息 (便条 1)
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒) 215˚C
Infrared (15 秒) 220˚C
热的 阻抗
θ
JC
(msop) 56˚c/w
θ
JA
(msop) 210˚c/w
θ
JC
(sop) 35˚c/w
θ
JA
(sop) 170˚c/w
θ
JC
(llp) 15˚c/w
θ
JA
(llp) 117˚c/w (便条 9)
θ
JA
(llp) 150˚c/w (便条 10)
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.0v
≤
V
DD
≤
5.5v
便条 1:
看 一个-450 “Surface 挂载 和 它们的 影响 在 产品 reli-
ability” 为 其它 方法 的 焊接 表面 挂载 设备.
电的 特性
(注释 2, 3)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5V 除非 否则 指定, 限制 应用 至 T
一个
= 25˚c.
SymbolParameter情况s
HWD21
08单位
(限制)
典型值
(便条
7)
限制
(便条
8)
V
DD
供应 电压 2.0 V (最小值)
5.5 V (最大值)
I
DD
供应 电流 V
在
= 0v, I
O
= 0A 1.2 3.0 毫安 (最大值)
P
tot
总的 电源 消耗 V
在
= 0v, I
O
= 0A 6 16.5 mW (最大值)
V
OS
输入 补偿 电压 V
在
= 0V 10 50 mV (最大值)
Ibias 输入 偏差 电流 10 pA
V
CM
一般 模式 电压
0V
4.3 V
G
V
打开-循环 电压 增益 R
L
=5k
Ω
67 dB
Io 最大值 输出 电流 THD+N
<
0.1 % 70 毫安
R
O
输出 阻抗 0.1
Ω
V
O
输出 摆动 R
L
=32
Ω
, 0.1% thd+n, 最小值 .3
V
R
L
=32
Ω
, 0.1% thd+n, 最大值 4.7
PSRR 电源 供应 拒绝 比率 Cb = 1.0µf, Vripple = 100mV
PP
,
f = 100Hz
89 dB
串扰 频道 分离 R
L
=32
Ω
75 dB
THD+N 总的 调和的 扭曲量 + 噪音 f=1kHz
R
L
=16
Ω
,
V
O
=3.5v
PP
(在 0 db)
0.05 %
66 dB
R
L
=32
Ω
,
V
O
=3.5v
PP
(在 0 db)
0.05 %
66 dB
SNR 信号-至-噪音 比率 V
O
= 3.5v
pp
(在 0 db) 105 dB
f
G
统一体 增益 频率 打开 循环, R
L
=5k
Ω
5.5 MHz
P
o
输出 电源 THD+N = 0.1%,f=1khz
R
L
=16
Ω
105 mW
R
L
=32
Ω
70 60 mW
THD+N = 10%,f=1khz
R
L
=16
Ω
150 mW
R
L
=32
Ω
90 mW
C
I
输入 电容 3 pF
3
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