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2SB0709A
2
SJC00047BED
I
B

V
是
I
C

V
是
V
ce(sat)

I
C
P
C

T
一个
I
C

V
CE
I
C

I
B
h
FE

I
C
f
T

I
E
C
ob

V
CB
0 16040 12080
0
240
200
160
120
80
40
集电级 电源 消耗  p
C
(
mW
)
包围的 温度  t
一个
(
°
C
)
0
−
12
−
10
−
8
−
2
−
6
−
4
0
−
120
−
100
−
80
−
60
−
40
−
20
T
一个
=
25
°
C
−
250
µ
一个
−
200
µ
一个
−
150
µ
一个
−
100
µ
一个
−
50
µ
一个
I
B
=
−
300
µ
一个
集电级 电流  i
C
(
毫安
)
集电级-发射级 电压  v
CE
(
V
)
0
−
400
−
100
−
300
−
200
0
−
60
−
50
−
40
−
30
−
20
−
10
V
CE
=
−
5 v
T
一个
=
25
°
C
根基 电流  i
B
(
µ
一个
)
集电级 电流  i
C
(
毫安
)
0
−
1.6
−
0.4
−
0.8
−
1.2
0
−
400
−
300
−
100
−
250
−
350
−
200
−
50
−
150
V
CE
=
−
5 v
T
一个
=
25
°
C
根基-发射级 电压  v
是
(
V
)
根基 电流  i
B
(
µ
一个
)
0
−
2.0
−
1.6
−
0.4
−
1.2
−
0.8
0
−
240
−
200
−
160
−
120
−
80
−
40
V
CE
=
−
5 v
T
一个
=
75
°
C
−
25
°
C
25
°
C
根基-发射级 电压  v
是
(
V
)
集电级 电流  i
C
(
毫安
)
−
1
−
10
−
100
−
1000
−
0.001
−
0.01
−
0.1
−
1
−
10
I
C
/ i
B
=
10
T
一个
=
75
°
C
25
°
C
−
25
°
C
集电级-发射级 饱和 电压  v
ce(sat)
(
V
)
集电级 电流  i
C
(
毫安
)
−
1
−
10
−
100
−
1 000
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=
−
10 v
T
一个
=
75
°
C
25
°
C
−
25
°
C
向前 电流 转移 比率  h
FE
集电级 电流  i
C
(
毫安
)
0.1 1 10 100
0
160
120
40
100
140
80
20
60
V
CB
=
−
10 v
T
一个
=
25
°
C
转变 频率  f
T
(
MHz
)
发射级 电流  i
E
(
毫安
)
−
1
−
10
−
100
0
8
6
2
5
7
4
1
3
I
E
=
0
f
=
1 mhz
T
一个
=
25
°
C
集电级-根基 电压  v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容
(一般 根基, 输入 打开 短路)
C
ob
(pf)

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2SB0709A 2 SJC00047BED I B  V 是 I C  V 是 V ce(sat)  I C P C  T 一个 I C  V CE I C  I B h FE  I C f T  I E C ob  V CB 0 16040 12080 0 240 200 160 120 80 40 集电级电源消耗 p C ( mW ) 包围的温度 t 一个 ( ° C ) 0 − 12 − 10 − 8 − 2 − 6 − 4 0 − 120 − 100 − 80 − 60 − 40 − 20 T 一个 = 25 ° C − 250 µ 一个 − 200 µ 一个 − 150 µ 一个 − 100 µ 一个 − 50 µ 一个 I B = − 300 µ 一个集电级电流 i C ( 毫安 ) 集电级-发射级电压 v CE ( V ) 0 − 400 − 100 − 300 − 200 0 − 60 − 50 − 40 − 30 − 20 − 10 V CE = − 5 v T 一个 = 25 ° C 根基电流 i B ( µ 一个 ) 集电级电流 i C ( 毫安 ) 0 − 1.6 − 0.4 − 0.8 − 1.2 0 − 400 − 300 − 100 − 250 − 350 − 200 − 50 − 150 V CE = − 5 v T 一个 = 25 ° C 根基-发射级电压 v 是 ( V ) 根基电流 i B ( µ 一个 ) 0 − 2.0 − 1.6 − 0.4 − 1.2 − 0.8 0 − 240 − 200 − 160 − 120 − 80 − 40 V CE = − 5 v T 一个 = 75 ° C − 25 ° C 25 ° C 根基-发射级电压 v 是 ( V ) 集电级电流 i C ( 毫安 ) − 1 − 10 − 100 − 1000 − 0.001 − 0.01 − 0.1 − 1 − 10 I C / i B = 10 T 一个 = 75 ° C 25 ° C − 25 ° C 集电级-发射级饱和电压 v ce(sat) ( V ) 集电级电流 i C ( 毫安 ) − 1 − 10 − 100 − 1 000 0 600 500 400 300 200 100 V CE = − 10 v T 一个 = 75 ° C 25 ° C − 25 ° C 向前电流转移比率 h FE 集电级电流 i C ( 毫安 ) 0.1 1 10 100 0 160 120 40 100 140 80 20 60 V CB = − 10 v T 一个 = 25 ° C 转变频率 f T ( MHz ) 发射级电流 i E ( 毫安 ) − 1 − 10 − 100 0 8 6 2 5 7 4 1 3 I E = 0 f = 1 mhz T 一个 = 25 ° C 集电级-根基电压 v CB ( V ) 集电级输出电容 (一般根基, 输入打开短路) C ob (pf)

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