HX6228
3
总的 剂量
≥
1x10
6
rad(sio
2
)
瞬时 剂量 比率 upset (3)
≥
1x10
11
rad(si)/s
瞬时 剂量 比率 survivability
≥
1x10
12
rad(si)/s
软 错误 比率 <1x10
-10
upsets/位-日
neutron fluence
≥
1x10
14
n/cm
2
参数
限制 (2)
测试 情况
辐射 硬度 比率 (1)
这 sram 将 满足 任何 函数的 或者 电的 specifica-
tion 之后 暴露 至 一个 辐射 脉冲波 向上 至 这 瞬时
剂量 survivability 规格,当 应用 下面 recom-
mended 运行 情况. 便条 那 这 电流 con-
ducted 在 这 脉冲波 用 这 内存 输入, 输出, 和
电源 供应 将 significantly 超过 这 正常的 operat-
ing 水平. 这 应用 设计 必须 accommodate
这些 影响.
neutron 辐射
这 sram 将 满足 任何 函数的 或者 定时 规格
之后 暴露 至 这 指定 neutron fluence 下面
推荐 运行 或者 存储 情况. 这个 作-
sumes 一个 相等的 neutron 活力 的 1 mev.
软 错误 比率
这 sram 是 有能力 的 meeting 这 指定 软 错误
比率 (ser), 下面 推荐 运行 情况.
这个 硬度 水平的 是 定义 用 这 adams 90% worst
情况 cosmic ray 环境 为 geosynchronous orbits.
Latchup
这 sram 将 不 获得 向上 预定的 至 任何 的 这 在之上 辐射
暴露 情况 当 应用 下面 推荐
运行 情况. fabrication 和 这 simox sub-
strate 材料 提供 oxide 分开 在 调整
pmos 和 nmos 晶体管 和 排除 任何 潜在的
scr latchup 结构. sufficient 晶体管 身体 系 con-
nections 至 这 p- 和 n-频道 substrates 是 制造 至
确保 非 源/流 snapback occurs.
总的 ionizing 辐射 剂量
这 sram 将 满足 所有 陈述 函数的 和 电的
规格 在 这 全部 运行 温度 范围
之后 这 指定 总的 ionizing 辐射 剂量. 所有 电的
和 定时 效能 参数 将 仍然是 在里面
规格 之后 rebound 在 vdd = 5.5 v 和 t =125
°
C
extrapolated 至 ten 年 的 运作. 总的 剂量 硬度
是 使确信 用 薄脆饼 水平的 测试 的 处理 监控 transis-
tors 和 内存 产品 使用 10 kev x-ray 和 co60
辐射 来源. 晶体管 门 门槛 变换 correla-
tions 有 被 制造 在 10 kev x-rays 应用 在
一个 剂量 比率 的 1x10
5
rad(sio
2
)/最小值 在 t = 25
°
c 和 gamma
rays (cobalt 60 源) 至 确保 那 薄脆饼 水平的 x-ray
测试 是 consistent 和 标准 军队 辐射 测试
环境.
瞬时 脉冲波 ionizing 辐射
这 sram 是 有能力 的 writing, 读, 和 retaining
贮存 数据 在 和 之后 暴露 至 一个 瞬时 ionizing
辐射 脉冲波 向上 至 这 指定 瞬时 dost 比率 upset
规格, 当 应用 下面 推荐 operat-
ing 情况. 至 确保 validity 的 所有 指定 perfor-
mance 参数 在之前, 在, 和 之后 辐射 (tim-
ing 降级 在 瞬时 脉冲波 辐射 是
≤
20%),
它 是 建议的 那 stiffening 电容 是 放置 在 或者
near 这 包装 vdd 和 vss, 和 一个 最大 induc-
tance 在 这 包装 (碎片) 和 stiffening capaci-
tance 的 0.7 nh 每 部分. 如果 那里 是 非 运作-通过 或者
有效的 贮存 数据 (所需的)东西, 典型 电路 板
挂载 de-连接 电容 是 推荐.
单位
(1) 设备 将 不 获得 向上 预定的 至 任何 的 这 指定 辐射 暴露 情况.
(2) 运行 情况 (除非 否则 指定): vdd=4.5 v 至 5.5 v, -55
°
c 至 125
°
c.
(3) 应用 至 40-含铅的 flat 包装 仅有的. 假设
≥
1x100
9
rad(si))/s 为 32-含铅的 flat 包装. stiffening 电容 是 建议的 为 最佳的 预期的
剂量 比率 upset 效能 作 陈述 在之上.
T
一个
=125
°
c, adams 90%
worst 情况 环境
脉冲波 宽度
≤
50 ns, x-ray,
vdd=6.0 v, t
一个
=25
°
C
脉冲波 宽度
≤
1
µ
s
T
一个
=25
°
C
1 mev 相等的 活力,
unbiased, t
一个
=25
°
C
辐射 特性
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