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资料编号:389459
 
资料名称:HX6228
 
文件大小: 153.48K
   
说明
 
介绍:
128K x 8 STATIC RAM-SOI HX6228
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HX6228
6
TAVAVR 地址 读 循环 时间 16 25 ns
TAVQV 地址 进入 时间 15 25 ns
TAXQX 地址 改变 至 输出 invalid 时间 12 3 ns
TSLQV 碎片 选择 进入 时间 16 25 ns
TSLQX 碎片 选择 输出 使能 时间 12 5 ns
TSHQZ 碎片 选择 输出 使不能运转 时间 5 10 ns
TEHQV 碎片 使能 进入 时间 16 25 ns
TEHQX 碎片 使能 输出 使能 时间 12 5 ns
TELQZ 碎片 使能 输出 使不能运转 时间 6 10 ns
TGLQV 输出 使能 进入 时间 4 9 ns
TGLQX 输出 使能 输出 使能 时间 4 2 ns
TGHQZ 输出 使能 输出 使不能运转 时间 4 9 ns
读 循环 交流 定时 特性 (1)
(1) 测试 情况: 输入 切换 水平 vil/vih=0.5v/vdd-0.5v (cmos), vil/vih=0v/3v (ttl), 输入 上升 和 下降 时间 <1 ns/v, 输入 和
输出 定时 涉及 水平 显示 在 这 tester 交流 定时 特性 表格, 电容的 输出 加载 c
L
>50 pf, 或者 相等的
电容的 输出 加载 c
L
=5 pf 为 tshqz, telqz tghqz. 为 c
L
>50 pf, 减额 进入 时间 用 0.02 ns/pf (typical).
(2) 典型 运行 情况: vdd=5.0 v, ta=25
°
c, 前-辐射.
(3) worst 情况 运行 情况: vdd=4.5 v 至 5.5 v, -55
°
c 至 125
°
c, 邮递 总的 剂量 在 25
°
c.
worst 情况 (3)
阻抗
NCS
NOE
数据 有效的
CE
T
AVAVR
T
AVQV
T
AXQX
T
SLQV
T
SLQX
T
SHQZ
T
EHQX
T
EHQV
T
GLQX
T
GLQV
T
GHQZ
T
ELQZ
地址
(nwe = 高)
数据 输出
标识 参数 典型 -55 至 125
°
C 单位
(2) 最小值 最大值
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