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资料编号:390467
 
资料名称:HY57V641620HG
 
文件大小: 86.73K
   
说明
 
介绍:
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY57V641620HG
rev. 0.5/六月.01
11
command 真实 表格
te :
1. exiting 自 refresh occurs 用 asynchronously bringing cke 从 低 至 高
2. x = don
t 小心, h = 逻辑 高, l = 逻辑 低. ba =bank address, ra = 行 address, ca = column address,
opcode = operand 代号, nop = 非 运作
Command cken-1 CKEn CS RAS CAS 我们 DQM
地址
a10/
AP
BA 便条
模式 寄存器 设置 H X L L L L X 运算 代号
非 运作 H X
H X X X
X X
L H H H
bank 起作用的 H X L L H H X RA V
H X L H L H X CA
L
V
读 和 autoprecharge H
H X L H L L X CA
L
V
写 和 autoprecharge H
precharge 所有 banks
H X L L H L X X
H X
precharge 选择 bank L V
burst 停止 H X L H H L X X
DQM H X V X
自动 refresh H H L L L H X X
自 refresh
1
Entry H L L L L H X
X
Exit L H
H X X X
X
L H H H
Precharge
电源 向下
Entry H L
H X X X
X
X
L H H H
Exit L H
H X X X
X
L H H H
时钟
Suspend
Entry H L
H X X X
X
XL V V V
Exit L H X X
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