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资料编号:39313
 
资料名称:2SJ245
 
文件大小: 39.44K
   
说明
 
介绍:
SILICON P-CHANNEL MOS FET
 
 


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–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0 –2–4–6–8–10
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 饱和 电压
ds(在)
v (v)
脉冲波 测试
–1 一个
–2 一个
i = –3 一个
D
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
–0.5 –1 –2 –5 –10 –20 –50
流 电流 i (一个)
D
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
r ( )
ds(在)
脉冲波 测试
v = –4 v
GS
–10 v
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 流 电流
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–40 0 40 80 120 160
情况 温度 tc (°c)
r ( )
0
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
ds(在)
–i = –1, –2 一个
D
–3 一个
–1, –2 一个
–3 一个
脉冲波 测试
v = –4 v
–10 v
GS
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance |y | (s)
fs
25°C
tc = –25°c
75°C
脉冲波 测试
v = –10 v
DS
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
2sj245 l , 2sj245 s
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