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资料编号:39318
 
资料名称:2SJ246S
 
文件大小: 39.29K
   
说明
 
介绍:
SILICON P-CHANNEL MOS FET
 
 


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表格 2 电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
———————————————————————————————————————————
流 至 源 损坏 V
(br)dss
–30 V I
D
= –10 毫安, v
GS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
门 至 源 损坏 V
(br)gss
±20 V I
G
= ±100 µa, v
DS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
门 至 源 leak 电流 I
GSS
±10 µA V
GS
= ±16 v, v
DS
= 0
———————————————————————————————————————————
零 门 电压 流 电流 I
DSS
–100 µA V
DS
= –25 v, v
GS
= 0
———————————————————————————————————————————
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–1.0 –2.5 V V
DS
= –10 v, i
D
= –1 毫安
———————————————————————————————————————————
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.12 0.17
I
D
= –4 一个
阻抗 V
GS
= –10 v
————————————————————————
0.21 0.31
I
D
= –4 一个
V
GS
= –4 v
———————————————————————————————————————————
向前 转移 admittance |y
fs
| 3.0 5.0 S V
DS
= –10 v
I
D
= –4 一个
———————————————————————————————————————————
输入 电容 Ciss 660 pF V
DS
= –10 v
————————————————————————————————
输出 电容 Coss 465 pF V
GS
= 0
————————————————————————————————
反转 转移 电容 Crss 180 pF f = 1 mhz
———————————————————————————————————————————
turn–on 延迟 时间 t
d(在)
10 ns V
GS
= –10 v
————————————————————————————————
上升 时间 t
r
55 ns I
D
= –4 v
————————————————————————————————
turn–off 延迟 时间 t
d(止)
135 ns R
L
= 7.5
————————————————————————————————
下降 时间 t
f
135 ns
———————————————————————————————————————————
body–drain 二极管 向前 V
DF
–1.2 V I
F
= –7 一个, v
GS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
body–drain 二极管 反转 t
rr
—90—µsI
F
= –7 一个, v
GS
= 0,
恢复 时间 di
F
/ dt = 50 一个 / µs
———————————————————————————————————————————
2sj246 l , 2sj246 s
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