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资料编号:39324
 
资料名称:2SJ280S
 
文件大小: 122.44K
   
说明
 
介绍:
SILICON P-CHANNEL MOS FET
 
 


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反转 流 电流 vs.
源 至 流 电压
–50
–40
–30
–20
–10
0
0 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2.0
源 至 流 电压 v (v)
SD
反转 流 电流 i (一个)
DR
脉冲波 测试
–5 v
0, 5v
v = –10 v
GS
频道 温度 tch (°c)
repetive avaranche 活力 e (mj)
AR
i = –30 一个
v = –25 v
职责 < 0.1%
rg 50
DD
AP
>
=
maxmum avalanche 活力 vs.
频道 温度 减额
100
80
60
40
20
0
25 50 75 100 125 150
V
监控
DS
I
监控
AP
V
DD
Rg
Vin
–15 v
50
d.u.t
V
DD
0
I
D
I
AP
V
DS
V
(br)dss
V
DSS
– v
DD
V
DSS
e =
AR
2
1
• l • i •
AP
2
L
avalanche 测试 电路 和 波形
2sj280 l , 2sj280 s
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