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资料编号:39343
 
资料名称:2SJ130L
 
文件大小: 48.29K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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2sj130(l), 2sj130(s)
3
30
20
10
0 50 100 150
情况 温度 t
C
(°c)
电源 vs. 温度 减额
频道 消耗 pch (w)
–5
–1.0
–0.2
–0.05
–20 –100 –500
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
最大 safe 运作 范围
–2
–0.1
–5 –10 –50 –200
ta = 25°c
10
µ
s
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds (在)
–0.5
pw = 10 ms (1 shot)
直流 运作 (t
C
= 25°c)
100
µ
s
1 ms
–2.0
–20 –50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
典型 输出 特性
–1.6
–0.4
–10 –30 –40
脉冲波 测试
0
–0.8
–1.2
–5 v
V
GS
= –4 v
–7 v
–15 v
流 电流 i
D
(一个)
–6 v
–10 v
–2.0
–4
–10
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
典型 转移 特性
–1.6
–0.4
–2 –6 –8
–25°C
0
–0.8
–1.2
V
DS
= –20 v
脉冲波 测试
75°C
T
C
= 25°c
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