Si4700DY
vishay siliconix
新 产品
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2-2
文档 号码: 71110
s-00025—rev. 一个, 24-jan-00
参数 标识 10 秒 稳步的 状态 单位
流-源电压
Q1
V
DS
12
V
流-源 电压
Q2
V
DS
–12
V
逻辑 控制 输入 V
在
8
持续的 流 电流
一个
Q1
I
D
7.6 5.3
一个
持续的 流 电流
一个
Q2
I
D
5.0 3.5
一个
搏动 流 电流
b
Q1
I
DM
20
一个
搏动 流 电流
b
Q2
I
DM
20
一个
持续的 intrinsic 二极管 传导
一个
Q1
I
S
2.1 1.15
持续的 intrinsic 二极管 传导
一个
Q2
I
S
2.1 1.15
最大 电源 消耗
一个
P
D
2.35 1.25 W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
j
, t
stg
–55 至 150
C
静电释放 电压
c
静电释放 3 KV
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x1” fr4 板.
b. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
c. 相等的 至 mil-标准-883d 人 身体 模型 (100 pf, 1500
)
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
10 秒
R
thJA
43 53
c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
82 100
c/w
最大 接合面-至-foot (流)
b
稳步的 状态 R
thJF
25 30
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
b. 接合面-至-foot 热的 阻抗 代表 这 有效的 热的 阻抗 的 所有 热温 carrying leads 在 并行的 和 是 将 为 使用 在 conjunction 和
这 热的 阻抗 的 这 pc 板 焊盘 至 包围的 (r
thJA
= r
thJF
+ r
thpcb-一个
). 它 能 也 是 使用 至 估计 碎片 温度 如果 电源 消耗 和
这 含铅的 温度 的 一个 热温 carrying (流) 含铅的 是 知道.
P Sbl S ifi T C di i
限制
参数 标识 明确的 测试 情况
最小值 Typ
一个
最大值 单位
止 S L k C I
V
DS
= –12 v, v
GS
=0 v
Q1 1
一个
止 状态 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= –12 v, v
GS
= 0 v
Q2 –1
一个
止 状态 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= –8 v, v
GS
= 0 v Q3 1
一个
V
DS
= –12 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C Q2 –5
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
4.5 v Q3
1
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 Q3 0.6 V
或者 i
V
S
= 4.5 v, i
D
= 1 一个, v
开关
= 2.5 v Q1 25 30
在-阻抗 r
ds(在)
V
S
= 2.5 v, i
D
= 1 一个, v
开关
= 2.5 v Q1 32 40
m
在-阻抗 r
ds(在)
V
S
= 4.5 v, i
D
= 1 一个, v
开关
= 2.5 v Q2 58 70
m
V
S
= 2.5 v, i
D
= 1 一个, v
开关
= 2.5 v Q2 90 110
注释
一个. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
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