Si4700DY
vishay siliconix
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文档 号码: 71110
s-00025—rev. 一个, 24-jan-00
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2-5
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
normalized r
ds(在)
vs. 接合面 温度
V
开关
= 2.5 v
V
S2
= 4.5 v
I
L
= 1 一个
T
J
– 接合面 温度 (
c)
0
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0246810
V
漏出
vs. s
1
V
漏出
(v)
V
S2
(v)
V
开关
= 2.5 v
I
L
= 1 一个
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
Normalized
–0.02
–0.01
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
V
漏出
variance vs. 接合面 温度
V
漏出
variance (v)
V
开关
= 2.5 v
V
S1
= 4.5 v
I
L
= 1 一个
T
J
– 接合面 温度 (
c)
0
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0246810
r
ds(在)
变化 和 输入 电压
V
S2
(v)
V
开关
= 2.5 v
I
L
= 1 一个
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0 20406080100
t
d(在)
变化 和 r
G
/v
S1
时间 (
R
G
(k
)
V
S!
= 2.5 v
V
开关
= 3 v
V
G
= 12 v
C
O
= 10
F
I
L
= 1 一个
s)
V
S!
= 3.3 v
V
S!
= 5 v
0
2
4
6
8
0 20406080100
t
上升
变化 和 r
G
/v
S1
时间 (
R
G
(k
)
V
S!
= 2.5 v
V
开关
= 3 v
V
G
= 12 v
C
O
= 10
F
I
L
= 1 一个
s)
V
S!
= 3.3 v
V
S!
= 5 v
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