Si4833DY
vishay siliconix
文档 号码: 70796
s-56941—rev. b, 02-十一月-98
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2-1
p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–30
0.085 @ v
GS
= –10 v
3.5
–30
0.180 @ v
GS
= –4.5 v
2.5
V
KA
(v)
V
F
(v)
二极管 向前 电压
I
F
(一个)
30 0.5 v @ 1.0 一个 1.4
一个
K
K
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
一个
S
G
D
K
一个
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 (场效应晶体管) V
DS
–30
V
反转 电压 (肖特基) V
KA
30
V
门-源 电压 (场效应晶体管) V
GS
20
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c) (场效应晶体管)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
3.5
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150 c) (场效应晶体管)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
2.8
一个
搏动 流 电流 (场效应晶体管) I
DM
20
一个
持续的 源 电流 (场效应晶体管 二极管 传导)
一个,
b
I
S
– 1.7
一个
平均 foward 电流 (肖特基) I
F
1.4
搏动 foward 电流 (肖特基) I
FM
30
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
2
W
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
1.3
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
D
1.9
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个,
b
T
一个
= 70
C 1.2
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 设备 标识 典型 最大 单位
最大 接合面-至-包围的 (t
10 秒)
一个
场效应晶体管
R
62.5
c/w
最大 接合面-至-包围的 (t
10秒)
一个
肖特基
R
thJA
65
c/w
最大 接合面-至-包围的 (t = 稳步的 状态)
一个
场效应晶体管
R
thJA
90
c/w
最大 接合面-至-包围的 (t= 稳步的 状态)
一个
肖特基 92
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. t
10 秒.
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