首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:394295
 
资料名称:SI4833DY
 
文件大小: 63.26K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI4833DY的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号SI4833DY的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI4833DY的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SI4833DY的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4833DY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70796
s-56941—rev. b, 02-十一月-98
  

   
参数 标识
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
一个 –1.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –30 v, v
GS
= 0 v –1
azero 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C –25
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
–5 v, v
GS
= –10 v –15 一个
状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
= –10 v, i
D
= –2.5 一个 0.066 0.085
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= –4.5 v, i
D
=
–1.8 一个
0.125 0.180
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= –10 v, i
D
= –2.5 一个 5.0 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= –1.7 一个, v
GS
= 0 v –0.8 –1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
V10VV10VI25A
8.7 15
C
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= –10 v,
V
GS
= –10 v, i
D
= –2.5 一个
1.9
nC
门-流 承担 Q
gd
1.3
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V10VR10
7 15
上升 时间 t
r
V
DD
= –10 v, r
L
= 10
I 1 一个 V 10 V R 6
9 18
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
DD
,
L
I
D
–1 一个, v
GEN
= –10 v, r
G
= 6
14 27
ns
下降 时间 t
f
8 15
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= –1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s 50 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
  

   
参数 标识
向前 电压 漏出 V
F
I
F
= 1.0 一个 0.45 0.5
vforward 电压 漏出 V
F
I
F
= 1.0 一个, t
J
= 125
C 0.36 0.42
V
Mi R Lk C I
V
r
= 30 v 0.004 0.100
一个
最大 反转 泄漏 电流 I
rm
V
r
= 30 v, t
J
= 100
C 0.7 10
毫安
V
r
= –30 v, t
J
= 125
C 3.0 20
接合面 电容 C
T
V
r
= 10 v
62 pF
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com