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资料编号:39502
 
资料名称:2SK1167
 
文件大小: 49.29K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1167, 2sk1168
4
电源 vs. 温度 减额
150
100
50
0
频道 消耗 pch (w)
50 100 150
情况 温度 t
C
(°c)
最大 safe 运作 范围
100
30
10
3
0.1
1 3 10 30 100 300 1,000
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
1.0
0.3
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds (在)
1 ms
10
µ
s
100
µ
s
ta= 25°c
pw = 10 ms (1shot)
直流 运作 (t
C
=25°c)
2SK1168
2SK1167
典型 输出 特性
20
12
8
4
0
4 8 12 20
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
6 v
16
16
V
GS
= 4v
脉冲波 测试
4.5 v
5.0 v
5.5 v
10 v
典型 转移 特性
20
16
8
4
0
246810
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
12
T
C
= 25°c
75°C –25°C
V
DS
= 20 v
脉冲波 测试
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