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资料编号:39502
 
资料名称:2SK1167
 
文件大小: 49.29K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1167, 2sk1168
5
10
8
4
2
0
4 8 12 16 20
6
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 至 源 饱和 电压
V
ds (在)
(v)
流 至 源 饱和 电压
vs. 门 至 源 电压
脉冲波 测试
10 一个
I
D
= 5 一个
20 一个
5
2
1.0
0.5
0.05
1 2 5 20 50 100
流 电流 i
D
(一个)
0.1
0.2
脉冲波 测试
10
V
GS
= 10 v
15 v
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds(在)
(
)
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 40 80 120 160
情况 温度 t
C
(°c)
–40
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 温度
V
GS
= 10 v
脉冲波 测试
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds (在)
(
)
10 一个
I
D
= 20 一个
5 一个
向前 转移 admittance vs. 流 电流
50
20
10
5
0.5
0.2 0.5 1.0 5 10 20
流 电流 i
D
(一个)
1.0
2
2
75°C
–25°C
向前 转移 admittance
yfs
(s)
T
C
= 25°c
V
DS
= 20 v
脉冲波 测试
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