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手机版
资料编号:39514
资料名称:
2SK1299
文件大小: 48.92K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1299(l), 2sk1299(s)
4
50
1000
情况 温度 t
C
(°c)
150
10
频道 消耗 pch
(w)
电源 vs. 温度 减额
20
30
最大 safe 运作 范围
流 电流 i
D
(一个)
5001002052
50
10
5
2
0.2
1
20
1
0.5
0.1
0.05
200
流 至 源 电压 v
DS
(v)
100
µ
s
1 ms
ta = 25°c
10
µ
s
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds (在)
直流 运作
(t
C
= 25°c)
pw = 10 ms (1 shot)
10
50
1000
典型 输出 特性
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
108642
10
8
6
4
2
0
V
GS
= 2.5 v
脉冲波 测试
5 v
3 v
3.5 v
10 v
4.5 v
4 v
典型 转移 特性
3
门 至 源 电压 v
GS
(v)
421
05
1
2
3
4
5
0
流 电流 i
D
(一个)
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试
25°C
75°C
T
C
= –25°c
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