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资料编号:39531
 
资料名称:2SK1095
 
文件大小: 19.59K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
表格 2 电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
———————————————————————————————————————————
流 至 源 损坏 V
(br)dss
60 V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
门 至 源 损坏 V
(br)gss
±20 V I
G
= ±100 µa, v
DS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
门 至 源 leak 电流 I
GSS
±10 µA V
GS
= ±16 v, v
DS
= 0
———————————————————————————————————————————
零 门 电压 流 电流 I
DSS
250 µA V
DS
= 50 v, v
GS
= 0
———————————————————————————————————————————
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
1.0 2.0 V I
D
= 1 毫安, v
DS
= 10 v *
———————————————————————————————————————————
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.033 0.04
I
D
= 15 一个, v
GS
= 10 v *
阻抗
——————— ——————————–
0.05 0.06 I
D
= 15 一个, v
GS
= 4 v *
———————————————————————————————————————————
向前 转移 admittance |y
fs
| 1220—SI
D
= 15 一个, v
DS
= 10 v
———————————————————————————————————————————
输入 电容 Ciss 1400 pF V
DS
= 10 v, v
GS
= 0,
————————————————————————————————
输出 电容 Coss 720 pF f = 1 mhz
————————————————————————————————
反转 转移 电容 Crss 220 pF
———————————————————————————————————————————
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
15 ns I
D
= 15 一个, v
GS
= 10 v,
————————————————————————————————
上升 时间 t
r
130 ns R
L
= 2
————————————————————————————————
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
270 ns
————————————————————————————————
下降 时间 t
f
180 ns
———————————————————————————————————————————
身体 至 流 二极管 向前 V
DF
1.3 V I
F
= 25 一个, v
GS
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
身体 至 流 二极管 反转 t
rr
135 ns I
F
= 25 一个, v
GS
= 0,
恢复 时间 di
F
/dt = 50 一个/µs
———————————————————————————————————————————
* 脉冲波 测试
看 characterist 曲线 的 2sk972.
2SK1095
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