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资料编号:39531
 
资料名称:2SK1095
 
文件大小: 19.59K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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电源 vs. 温度 减额
60
40
20
频道 消耗 pch (w)
0 50 100 150
情况 温度 t
C
(°c)
最大 safe 运作 范围
500
1 100
流 至 源 电压 v
DS
(v)
300
30
3
流 电流 i
D
(一个)
1.0
0.3 1.0 3 10 30
100
10
0.5
ta = 25°c
1 ms
直流 运作 (t
C
= 25°c)
pw = 10 ms (1 shot)
10
µ
s
100
µ
s
运作 在 这个
范围 是 限制
用 r
ds (在)
2SK1095
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
µ
100
µ
1 m 10 m 100 m 1 10
脉冲波 宽度 pw (s)
θ
ch–c(t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 4.17°c/w, t
C
= 25°c
P
DM
PW
T
d =
T
PW
normalized 瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
normalized 瞬时 热的 阻抗
γ
S
(t)
1 shot 脉冲波
T
C
= 25°c
0.01
0.05
0.02
0.2
0.1
0.5
d = 1
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