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资料编号:395374
 
资料名称:SI9803DY
 
文件大小: 51.36K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET
 
 


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Si9803DY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
4
文档 号码: 70638
s-49559—rev. c, 11-二月-98
  
  
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
门槛 电压 单独的 脉冲波 电源
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
T
J
– 温度 (
c) 时间 (秒)
电源 (w)
–0.4
–0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
–50 0 50 100 150
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
02468
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 5.9 一个
I
D
= 250
一个
0 0.4
10
0.8 1.21.0 1.4
1
10
–3
10
–2
1103010
–1
10
–4
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 50
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
0.01
0
0.1
80
100
20
40
60
11030
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
40
variance (v)v
gs(th)
0.2
0.6
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