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资料编号:395402
 
资料名称:SI9933ADY
 
文件大小: 39.51K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si9933ADY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2
文档 号码: 70651
s-00652—rev. b, 27-三月-00
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
一个 –0.8 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –16 v, v
GS
= 0 v –1
azero 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –10 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C –3
一个
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
–5 v, v
GS
= –4.5 v –16
aon-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
–5 v, v
GS
= –2.7 v –3
一个
DiS OS R i
b
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –3.2 一个 0.06 0.075
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= –3.0 v, i
D
= –2.0 一个 0.078 0.105
V
GS
= –2.7 v, i
D
= –1 一个 0.085 0.115
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= –9 v, i
D
= –3.4 一个 8 S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= –2.0 一个, v
GS
= 0 v –0.7 –1.2 V
动态
一个
总的 门 承担 Q
g
V 6V V 45V I 32A
10 20
C
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= –6 v,
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –3.2 一个
2.1
nC
门-流 承担 Q
gd
3.3
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V6VR6
16 40
上升 时间 t
r
V
DD
= –6 v, r
L
= 6
I1AV 45VR6
46 80
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
DD
,
L
I
D
–1 一个, v
GEN
= –4.5 v, r
G
= 6
40 70
ns
下降 时间 t
f
25 40
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= –2.0 一个, di/dt = 100 一个/
s 60 100
注释
一个. 为 设计 aid 仅有的; 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
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