2SK1109_集成电路资料查询网

数据 薄板  d15940ej1v0ds
3
2SK1109
典型 特性 (t
一个
= 25°c)
20 40 60 80 100 120 140 160
0
40
20
80
60
100
减额 因素 的
电源 消耗
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
dt - 减额 因素 - %
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
ig - 门 电流 -   一个
门 至 源 电流 vs.
门 至 源 电压
µ
0
10
20
30
−
30
−
40
−
20
−
10
40
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1.0
1.00.80.60.40.2
流 电流 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 毫安
−
0.6
−
0.4
−
0.2 0 +0.2
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
V
DS
= 5 v
I
D
S
S
=
3
0
0
一个
I
D
S
S
=
2
0
0
一个
I
D
S
S
=
1
0
0
一个
µ
µ
µ
输入 电容 vs.
流 至 源 电压
10 20 50 100
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
C
iSS
- 输入 电容 - pf
10
20
50
100
1
2
5
152
V
DS
= 0 v
f = 1.0 mhz
门 至 源 截-止 电压 和 向前
转移 admittance vs. 零-门 电压
流 电流 co-relation
零-门 电压 流 电流 -   一个
V
gs (止)
-  门 至 源 截-止 电压 - v
|y
fs
| - 向前 转移 admittance -   s
V
DS
= 5 v
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10.0
20 50 100 200 500 1000
0.01
5.0
2.0
10
µ
V
gs (止)
|y
fs
|
µ

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数据薄板 d15940ej1v0ds 3 2SK1109 典型特性 (t 一个 = 25°c) 20 40 60 80 100 120 140 160 0 40 20 80 60 100 减额因素的电源消耗 T 一个 - 包围的温度 - ˚c dt - 减额因素 - % V GS - 门至源电压 - v ig - 门电流 - 一个门至源电流 vs. 门至源电压 µ 0 10 20 30 − 30 − 40 − 20 − 10 40 − 0.2 − 0.4 − 0.6 − 0.8 − 1.0 1.00.80.60.40.2 流电流 vs. 门至源电压 V GS - 门至源电压 - v I D - 流电流 - 毫安 − 0.6 − 0.4 − 0.2 0 +0.2 0.2 0.6 0.4 0.8 1.0 V DS = 5 v I D S S = 3 0 0 一个 I D S S = 2 0 0 一个 I D S S = 1 0 0 一个 µ µ µ 输入电容 vs. 流至源电压 10 20 50 100 V DS - 流至源电压 - v C iSS - 输入电容 - pf 10 20 50 100 1 2 5 152 V DS = 0 v f = 1.0 mhz 门至源截-止电压和向前转移 admittance vs. 零-门电压流电流 co-relation 零-门电压流电流 - 一个 V gs (止) - 门至源截-止电压 - v \|y fs \| - 向前转移 admittance - s V DS = 5 v 1.0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 10.0 20 50 100 200 500 1000 0.01 5.0 2.0 10 µ V gs (止) \|y fs \| µ

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