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资料编号:39609
 
资料名称:2SK1399
 
文件大小: 46.94K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14770ej2v0ds00
2
2SK1399
电的 特性 (t
一个
= 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
= 50
v, v
GS
= 0
V10
µ
一个
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±7.0 v, v
DS
= 0
v±5.0
µ
一个
门 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 3.0
v, i
D
= 1.0
µ
一个 0.9 1.2 1.5 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= 3.0
v, i
D
= 10 毫安 20 38 mS
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= 2.5
v, i
D
= 10 毫安 22 40
R
ds(在)2
V
GS
= 4.0
v, i
D
= 10
毫安 14 20
输入 电容 C
iss
V
DS
= 3.0
V8pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0
V7pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1
MHz 3 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 3.0
V15ns
上升 时间 t
r
I
D
= 20
毫安 100 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
gs(在)
= 3.0
V30ns
下降 时间 t
f
R
G
= 10
Ω,
R
L
= 150
35 ns
测试 电路 2 门 承担
测试 电路 1 切换 时间
pg.
R
G
0
V
GS
d.u.t.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
µ
职责 循环
1 %
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
10 %
90 %
V
GS
(在)
10 %
0
I
D
90 %
90 %
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10 %
τ
I
D
0
t
t
pg.
50
d.u.t.
R
L
V
DD
I
G
= 2 毫安
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