AAT3532
micropower™ 微处理器 重置 电路
4
3532.2001.11.0.9
直流 电的 特性
(v
在
= 4.5v 至 5.5v, t
一个
= -40 至 85°c 除非 否则 指出.
典型 值 是 在 t
一个
=25°c)
交流 电的 特性
(v
在
= 4.5v 至 5.5v, t
一个
= -40 至 85°c 除非 否则 指出.
典型 值 是 在 t
一个
=25°c)
注释:
1. 量过的 和 输出 打开 和 st toggling 在 100khz, 50% 职责 循环
2. rst 是 一个 打开 流 输出
3. 有保证的 用 设计 和 不 主题 至 生产 测试.
4. pbrst 必须 仍然是 低 为 更好 比 20ms 至 保证 一个 重置
标识 描述 情况 最小值 典型值 最大值 单位
C
在
输入 电容 st, tol
3
T
一个
= 25ºc 5 pF
C
输出
输出 电容 rst, rst
3
T
一个
= 25ºc 7 pF
t
铅
PBRST
4
图 2 20 ms
t
PBD
PBRST 延迟 图 2 1 4 20 ms
t
RST
重置 起作用的 时间 250 610 1000 ms
t
ST
ST 脉冲波 宽度 图 3 20 ns
td 管脚 = 0v 62.5 150 250 ms
t
TD
ST 时间-输出 时期 td 管脚 = 打开 250 600 1000 ms
td 管脚 = v
CC
500 1200 2000 ms
t
f
V
CC
下降 时间
3
4.75v 至 4.25v 10 µs
t
r
V
CC
上升 时间
3
4.25v 至 4.75v 0 5 µs
t
RPD
V
CC
发现 至 rst 高 和 rst 低 V
CC
下落 50 µs
t
RPU
V
CC
发现 至 rst 低 和 rst 打开 V
CC
Rising 250 610 1000 ms
标识 描述 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CC
供应 电压 4.5 5.0 5.5 V
cmos 水平 23 50
I
Q
安静的 电流
1
V
CC
= 5.5v
TTL 水平 160 500
µA
V
CCTP
重置 门槛 5% TOL = 地 4.50 4.62 4.74 V
重置 门槛 10% TOL = v
CC
4.25 4.37 4.49 V
I
IL
输入 泄漏 st, tol -1.0 1.0 µA
I
OH
输出 电流 rst
2
V
OH
= 2.4v -8.0 毫安
I
OL
电流 rst
2
, rst V
OL
= 0.4v 10.0 毫安
V
IH
ST 和 pbrst 输入 高 2.0 V
CC
+0.3 V
V
IL
ST 和 pbrst 输入 低 -0.3 0.8 V
I
RST
RST 输出 泄漏 V
OH
= v
CC
1.0 µA
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