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资料编号:396798
 
资料名称:IRFIB8N50K
 
文件大小: 147.57K
   
说明
 
介绍:
SMPS MOSFET
 
 


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
2 www.irf.com

repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 11).
开始 t
J
= 25°c, l = 13mh, r
G
= 25
,
I
= 6.7a, dv/dt = 17v/ns (看 图示 12a).
I
SD
6.7a, di/dt
330a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
150°c.
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.
S
D
G
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 500 ––– ––– V
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.59 ––– v/°c
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 290 350
m
V
GS
= 10v, i
D
= 4.0a
f
V
gs(th)
门 门槛 电压 3.0 ––– 5.0 V
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– 50 µA
V
DS
= 500v, v
GS
= 0v
––– ––– 250
V
DS
= 400v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 nA
V
GS
= 30v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
V
GS
= -30v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
gfs 向前 跨导 4.7 ––– ––– V
V
DS
= 50v, i
D
= 4.0a
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 89
I
D
= 6.7a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 24 nC
V
DS
= 400v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 44
V
GS
= 10v
f
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 17 –––
V
DD
= 250v
t
r
上升 时间 ––– 16 –––
I
D
= 6.7a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 28 ––– ns
R
G
= 38
t
f
下降 时间 ––– 8.4 –––
V
GS
= 10v
f
C
iss
输入 电容 ––– 2160 –––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 240 –––
V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 27 ––– pF ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 ––– 2600 –––
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 ––– 62 –––
V
GS
= 0v, v
DS
= 400v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
eff.
有效的 输出 电容 ––– 120 –––
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 400v
e
二极管 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 6.7 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 一个 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 27 integral 反转
(身体 二极管)
Ã
ch
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 2.0 V
T
J
= 25°c, i
S
= 6.7a, v
GS
= 0v
f
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 430 640 ns
T
J
= 25°c, i
F
= 6.7a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 2840 4270 nC
di/dt = 100a/µs
f
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
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